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多量子阱空间光调制器二维列阵

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摘要

用MBE技术生长GaAs／AlGaAs多量子阱材料，研制出8×8独立寻址反射型空间光调制器列阵，对列阵的光反射谱、光电流谱、电场调制特性及电学特性进行了全面的测试，并对列阵的均匀性进行了分析．

著录项

来源
《半导体学报》 |1997年第5期|356-361|共6页
作者
陈弘达; 吴荣汉; 高文智; 陈志标; 杜云;
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作者单位

国家集成光电子学联合实验室;

中国科学院半导体研究所;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN304.054;
关键词
多量子阱; 空间光调制器; 外延生长; 二维列阵;

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