Institut d''Electronique Fondamentale, Univ. Paris-Sud, CNRS UMR 8622, Bât. 220, 91405 Orsay Cedex, France;
机译:基于防水耦合的波导集成GE / SiGe量子密闭式光学调制器的设计与仿真
机译:用于光调制器的Si上Ge / SiGe量子阱中的量子限制斯塔克效应
机译:1550 nm低偏压Ge / SiGe多量子阱电吸收调制器的设计
机译:高速电吸收调制器,基于GE / SiGe多量子阱的量子狭窄的颗粒效应
机译:外围耦合波导多量子阱电吸收调制器,可实现高效率,高无杂散动态范围和高频RF光纤链路。
机译:由极性重复单元组成的分子单分子层中的集体诱导量子限制斯塔克效应
机译:基于绝热耦合与SiGE波导的波导集成GE / SiGe量子局限性STARK效应光调制的设计与仿真