首页> 外文会议>2012 IEEE 9th International Conference on Group IV Photonics. >High speed electro-absorption modulator based on quantum-confined stark effect from Ge/SiGe multiple quantum wells
【24h】

High speed electro-absorption modulator based on quantum-confined stark effect from Ge/SiGe multiple quantum wells

机译:Ge / SiGe多量子阱中基于量子限制斯塔克效应的高速电吸收调制器

获取原文
获取原文并翻译 | 示例

摘要

A 90 µm long 23 GHz Ge/SiGe modulator using the QCSE in waveguide configuration was demonstrated with an ER higher than 10 dB for a wide spectral range. Energy consumption was only 108 fJ/bit.
机译:演示了在波导配置中使用QCSE的90 µm长23 GHz Ge / SiGe调制器在宽频谱范围内的ER均高于10 dB。能耗仅为108 fJ /位。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号