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王明华; 周剑英; 李锡华; 周小平; 江晓清;
中国光学学会;
浙江省光学会;
浙江大学;
量子阱; 磷化铟; 电吸收; 光调制器; 微波特性;
机译:OMVPE生长的GaInAs / InP多量子阱(MQW)光调制器中的大电吸收效应
机译:集成波导的超高速多量子阱电吸收光调制器
机译:使用激光无序GaInAs / GaInAsP多量子阱结构制造电吸收光调制器
机译:应变补偿的InGaAs / InAlAs / InP预偏置量子阱,用于偏振不敏感和负chi电吸收光调制器
机译:改进了用于长波长InGaAlAs / InP激光器的限制结构和量子阱设计。
机译:电注入II型(GaIn)As / Ga(AsSb)/(GaIn)As W型量子阱激光器的高温工作发射出1.3 µm量子阱激光器
机译:互扩散InGaasp / Inp量子阱的电吸收特性
机译:空间光调制器在Gaas / alGaas多量子阱中使用电荷耦合器件寻址和电吸收效应
机译:第一面上,在由InP构成的半导体基板上,与电场吸收型光调制器和电场吸收型光调制器具备半导体集成部件的表面相对。
机译:具有多个量子阱的电吸收光调制器
机译:具有量子阱结构的电吸收型半导体光调制器
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