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中国科学院半导体研究所;
量子阱激光器; 半导体; InP基; 波段; 无中继通信; 气体探测; 激光光源; 发光波长;
机译:无源C波段AlGaInAs / InP量子阱锁模激光器产生490 fs脉冲
机译:基于InP的波长2μm波段InGaAsSbN红外量子阱激光器
机译:用于2μm波段激光器的InP衬底上基于InGaAsSb的量子阱结构的MBE生长和评估
机译:价带阱深度对1.3- / splμm/ m InP基应变层多量子阱激光器中光学增益均匀性的影响
机译:ovel基于InP的高功率,高效率,单量子阱(SQW)有源区二极管激光器,发射功率为1.5微米。
机译:电注入II型(GaIn)As / Ga(AsSb)/(GaIn)As W型量子阱激光器的高温工作发射出1.3 µm量子阱激光器
机译:半导体量子阱激光器和体激光器中幅度相位耦合和线宽增强的比较
机译:III-V半导体量子阱激光器及相关光电器件(Onsilicon)。氧化物定义的半导体量子阱激光器和光电器件:al基III-V天然氧化物
机译:具有InAsP量子阱层和Gax(AIIN)1-xP势垒层的InP基高温激光器
机译:具有InAsP量子阱层和Gax(ALIn)1-xP势垒层的InP基高温激光器
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