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半导体所制成高温连续激射2微米波段锑化物量子阱激光器

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近日,中国科学院半导体研究所纳米光电子实验室与超晶格国家重点实验室分子束外延（MBE）课题组合作,采用分子束外延技术生长的InGaSb/AlGaAsSb应变量子阱激光器.

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来源
《今日电子》|2011年第7期|27-27|共1页
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正文语种 chi
中图分类 TN3-24;
关键词
中国科学院半导体研究所; 应变量子阱激光器; 分子束外延技术; 锑化物; 米波段; 国家重点实验室; 激射; 高温;

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