Методом МОС-гидридной эпитаксии выращены эпитаксиально интегрированные туннельно-связанные лазерные гетероструктуры в системе твердых растворов AlGaAs/GaAs/InGaAs. На основе таких структуризготовлены мезаполосковые лазеры с апертурой 150 х 7 мкм. Показана возможность управления длиной волны генерации за счет изменения толщины активной области в каждой туннельно-связанной лазерной структуре. Получена независимая двухполосная генерация на длинах волн 914 и 925 нм (разностная частота 2.3 ТГц) при максимальной оптической мощности излучения 20 Вт в каждой полосе эпитаксиально интегрированного туннельно-связанного полупроводникового лазера.
展开▼
