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A comparison of amplitude-phase coupling and linewidth enhancement in semiconductor quantum-well and bulk lasers

机译:半导体量子阱激光器和体激光器中幅度相位耦合和线宽增强的比较

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摘要

The amplitude-phase coupling factor α (linewidth enhancement factor) is compared for typical semiconductor quantum-well and bulk double heterostructure lasers. As a direct consequence of the reduction of the differential gain, there is no reduction of α in single-quantum-well lasers compared to bulk lasers. The number of quantum wells strongly affects the amplitude-phase coupling in quantum-well lasers. It is shown that the interband transition induced amplitude-phase coupling dominates that induced by the plasma effect of carriers in typical quantum-well lasers. By considering the spontaneous emission factor in the spectral linewidth, the authors show that there is an optimal number of quantum wells for achieving the narrowest spectral linewidth.
机译:比较了典型半导体量子阱和体双异质结构激光器的幅度-相位耦合因子α(线宽增强因子)。由于差分增益减小的直接结果,与体激光器相比,单量子阱激光器中的α没有减小。量子阱的数量强烈影响量子阱激光器中的振幅-相位耦合。结果表明,在典型的量子阱激光器中,带间跃迁引起的幅度-相位耦合起主要作用是由载流子的等离子体效应引起的。通过考虑光谱线宽中的自发发射因子,作者表明,存在用于实现最窄光谱线宽的最佳量子阱数量。

著录项

  • 作者

    Zhao B.; Chen T. R.; Yariv A.;

  • 作者单位
  • 年度 1993
  • 总页数
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 {"code":"en","name":"English","id":9}
  • 中图分类

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