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Indium Phosphide and Related Materials, 2000. Conference Proceedings. 2000 International Conference on
Indium Phosphide and Related Materials, 2000. Conference Proceedings. 2000 International Conference on
召开年:
2000
召开地:
Williamsburg, VA
出版时间:
-
会议文集:
-
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1.
(Al/sub x/Ga/sub 1-x/)/sub 0.5/In/sub 0.5/P barrier layer grown by gas source molecular beam epitaxy for V-band (Al/sub x/Ga/sub 1-x/)/sub 0.5/In/sub 0.5/P/In/sub 0.2/Ga/sub 0.8/As/GaAs power pseudomorphic HEMT
机译:
V波段通过气源分子束外延生长的(Al / sub x / Ga / sub 1-x /)/ sub 0.5 / In / sub 0.5 / P阻挡层(Al / sub x / Ga / sub 1-x / )/ sub 0.5 / In / sub 0.5 / P / In / sub 0.2 / Ga / sub 0.8 / As / GaAs功率拟态HEMT
作者:
Zaknoune
;
M.
;
Schuler
;
O.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2000. Conference Proceedings. 2000 International Conference on》
|
2000年
2.
1.5 /spl mu/m GaInAsP/InP double-quantum-well DFB lasers with deeply etched active regions
机译:
1.5 / spl mu / m GaInAsP / InP双量子阱DFB激光器,具有深蚀刻的有源区
作者:
Nunoya
;
N.
;
Nakamura
;
M.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2000. Conference Proceedings. 2000 International Conference on》
|
2000年
3.
1.5 /spl mu/m wavelength strain-compensated GaInAsP/InP wirelike lasers by CH/sub 4//H/sub 2/ reactive ion etching
机译:
通过CH / sub 4 // H / sub 2 /反应性离子蚀刻的1.5 / spl mu / m波长应变补偿的GaInAsP / InP线状激光器
作者:
Yasumoto
;
H.
;
Nunoya
;
N.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2000. Conference Proceedings. 2000 International Conference on》
|
2000年
4.
21 GHz highly efficient composite-channel InP HEMT
机译:
21 GHz高效复合通道InP HEMT
作者:
Chen Y.C.
;
Grundbacher R.
;
Chin T.P.
;
Barsky M.
;
Lai R.
;
Yang L.W.
;
Block T.
;
Wojtowicz M.
;
Yen H.C.
;
Oki A.
;
Streit D.C.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2000. Conference Proceedings. 2000 International Conference on》
|
2000年
5.
2D carrier profiling of InP-based structures using scanning capacitance microscopy (SCM) and scanning spreading resistance microscopy (SSRM)
机译:
使用扫描电容显微镜(SCM)和扫描扩展电阻显微镜(SSRM)对基于InP的结构进行2D载流分析
作者:
De Wolf
;
P.
;
Erickson
;
A.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2000. Conference Proceedings. 2000 International Conference on》
|
2000年
6.
Novel rear-illuminated 1.55 /spl mu/m-photodiode with high wavelength selectivity designed for bi-directional optical transceiver
机译:
新型双向照明1.55 / spl mu / m光电二极管,具有高波长选择性,专为双向光收发器设计
作者:
Iguchi
;
Y.
;
Yamabayashi
;
N.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2000. Conference Proceedings. 2000 International Conference on》
|
2000年
7.
N-type doping induced losses in 1.3/1.55 /spl mu/m distributed Bragg reflectors
机译:
N型掺杂在1.3 / 1.55 / splμ/ m分布的布拉格反射器中引起的损耗
作者:
Mogg
;
S.
;
Salomonsson
;
F.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2000. Conference Proceedings. 2000 International Conference on》
|
2000年
8.
On thallium incorporation in GaInTlAs layers grown on InP by low temperature molecular beam epitaxy
机译:
低温分子束外延在InP上生长的GaInTlAs层中掺入
作者:
Sanchez-Almazan
;
F.
;
Gendry
;
M.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2000. Conference Proceedings. 2000 International Conference on》
|
2000年
9.
On the development of an electrolyte for ECV profiling of AlInAs
机译:
关于用于AlInAs的ECV分析的电解质的开发
作者:
Udhayasankar M.
;
Rigo C.
;
Kumar J.
;
Ramasamy P.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2000. Conference Proceedings. 2000 International Conference on》
|
2000年
10.
Parametric study of InP backside processing using high density plasma etching
机译:
使用高密度等离子体蚀刻进行InP背面处理的参数研究
作者:
Chen
;
Y.W.
;
Ooi
;
B.S.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2000. Conference Proceedings. 2000 International Conference on》
|
2000年
11.
Polymer free reactive ion beam etching of InP using N/sub 2//(CH/sub 3/)/sub 3/N
机译:
使用N / sub 2 //((CH / sub 3 /)/ sub 3 / N的InP的无聚合物反应离子束刻蚀
作者:
Carlstrom
;
C.F.
;
Anand
;
S.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2000. Conference Proceedings. 2000 International Conference on》
|
2000年
12.
Preparation of InP100 surface for negative electron affinity photocathode
机译:
负电子亲和性光电阴极InP 100表面的制备
作者:
Hafez
;
M.A.
;
Elamrawi
;
K.A.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2000. Conference Proceedings. 2000 International Conference on》
|
2000年
13.
Quantum well intermixing caused by nonstoichiometric InP
机译:
非化学计量InP引起的量子阱混合
作者:
Haysom J.E.
;
Poole P.J.
;
Aers G.C.
;
Rolfe S.J.
;
Raymond S.
;
Mitchell I.V.
;
Charbonneau S.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2000. Conference Proceedings. 2000 International Conference on》
|
2000年
14.
Reliability and failure criteria for AlInAs/GaInAs/InP HBTs
机译:
AlInAs / GaInAs / InP HBT的可靠性和失效标准
作者:
Kiziloglu K.
;
Thomas S. III
;
Williams F. Jr
;
Paine B.M.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2000. Conference Proceedings. 2000 International Conference on》
|
2000年
15.
Selectively dry-etched In/sub 0.49/Ga/sub 0.51/P/In/sub 0.15/Ga/sub 0.85/As double doped-channel FETs using CHF/sub 3/+BCl/sub 3/ plasma
机译:
使用CHF / sub 3 / + BCl / sub 3 /等离子选择性干蚀刻的In / sub 0.49 / Ga / sub 0.51 / P / In / sub 0.15 / Ga / sub 0.85 / As双掺杂沟道FET
作者:
Yang
;
S.C.
;
Chiol
;
S.C.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2000. Conference Proceedings. 2000 International Conference on》
|
2000年
16.
Self-aligned AlInAs native oxidized buried hetero-structure InGaAsP/InP distributed feedback laser with circular beam and high T/sub 0/ potential
机译:
具有圆光束和高T / sub 0 /电势的自对准AlInAs自氧化掩埋异质结构InGaAsP / InP分布式反馈激光器
作者:
Zhi-jie Wang
;
Soo-jin Chua
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2000. Conference Proceedings. 2000 International Conference on》
|
2000年
17.
Self-assembled formation of InP nanopore arrays by electrochemical anodization
机译:
通过电化学阳极氧化自组装形成InP纳米孔阵列
作者:
Fujikura
;
H.
;
Liu
;
A.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2000. Conference Proceedings. 2000 International Conference on》
|
2000年
18.
Silicon interlayer-based oxide-free surface passivation of InP and its application to MISFETs
机译:
InP的硅中间层无氧化物表面钝化及其在MISFET中的应用
作者:
Takahashi
;
H.
;
Yamada
;
M.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2000. Conference Proceedings. 2000 International Conference on》
|
2000年
19.
Sources for cadmium diffusion in InP kinetics in short duration anneals
机译:
短期退火中InP动力学中镉扩散的来源
作者:
Bulusu
;
D.V.
;
Chang
;
C.C.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2000. Conference Proceedings. 2000 International Conference on》
|
2000年
20.
SSRM analysis of dopant diffusion in InP based structures
机译:
InP基结构中掺杂剂扩散的SSRM分析
作者:
Geva M.
;
Akulova Y.
;
Ougazzaden A.
;
Holman J.P.
;
Richter S.
;
Kleiman R.N.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2000. Conference Proceedings. 2000 International Conference on》
|
2000年
21.
Strain-compensated InGaAs/InAlAs/InP pre-biased quantum well for polarization-insensitive and negative-chirp electro-absorption optical modulators
机译:
应变补偿的InGaAs / InAlAs / InP预偏置量子阱,用于偏振不敏感和负chi电吸收光调制器
作者:
Kato
;
M.
;
Nakano
;
Y.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2000. Conference Proceedings. 2000 International Conference on》
|
2000年
22.
Stress-related hydrogen degradation of 0.1 /spl mu/m InP HEMTs and GaAs PHEMTs
机译:
应力相关的氢气降解0.1 Ins HEMT和GaAs PHEMT
作者:
Blanchard
;
R.R.
;
del Alamo
;
J.A.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2000. Conference Proceedings. 2000 International Conference on》
|
2000年
23.
The effect of defects on InAs/AlSb/GaSb resonant interband tunneling diodes
机译:
缺陷对InAs / AlSb / GaSb谐振带间隧穿二极管的影响
作者:
Magno
;
R.
;
Bracker
;
A.S.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2000. Conference Proceedings. 2000 International Conference on》
|
2000年
24.
The quantum well property of semiconductor optical amplifier for broadband width
机译:
半导体光放大器宽带宽度的量子阱特性
作者:
Yoon Ho Park
;
Byung-Kwon Kang
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2000. Conference Proceedings. 2000 International Conference on》
|
2000年
25.
Towards terahertz circuits via InP micromachining techniques
机译:
通过InP微加工技术实现太赫兹电路
作者:
Arscott S.
;
David T.
;
Melique X.
;
Mounaix P.
;
Lippens D.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2000. Conference Proceedings. 2000 International Conference on》
|
2000年
26.
Trace elemental analysis of InP and related process materials by glow-discharge mass-spectrometry (GDMS)
机译:
辉光放电质谱(GDMS)对InP及其相关工艺材料进行痕量元素分析
作者:
Efimov
;
A.
;
Kasik
;
M.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2000. Conference Proceedings. 2000 International Conference on》
|
2000年
27.
Trimming the size of InAs/InP quantum dots grown by CBE
机译:
修整CBE生长的InAs / InP量子点的大小
作者:
Poole P.J.
;
Williams R.L.
;
Lefebvre J.
;
McCaffrey J.P.
;
Rowell N.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2000. Conference Proceedings. 2000 International Conference on》
|
2000年
28.
Ultrafast intersubband absorption switching using InGaAs/AlAsSb quantum wells
机译:
使用InGaAs / AlAsSb量子阱的超快速子带间吸收切换
作者:
Wada
;
O.
;
Yoshida
;
H.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2000. Conference Proceedings. 2000 International Conference on》
|
2000年
29.
Ultrafast, high-power waveguide fed photodetector with integrated spot size converter
机译:
具有集成光斑尺寸转换器的超快速,高功率波导馈电光电探测器
作者:
Trommer
;
D.
;
Schmidt
;
D.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2000. Conference Proceedings. 2000 International Conference on》
|
2000年
30.
Wafer level optoelectronic testing for DFB laser diodes
机译:
DFB激光二极管的晶圆级光电测试
作者:
Heffner W.R.
;
Robertson A.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2000. Conference Proceedings. 2000 International Conference on》
|
2000年
31.
Characterization of carbon induced lattice contraction of highly carbon doped InGaAs
机译:
碳引起的高碳掺杂InGaAs晶格收缩的表征
作者:
Cui
;
D.
;
Pavlidis
;
D.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2000. Conference Proceedings. 2000 International Conference on》
|
2000年
32.
De-hydrogenation studies of carbon-doped In/sub 0.53/Ga/sub 0.47/As grown by gas-source MBE and their applications to InP/In/sub 0.53/Ga/sub 0.47/As HBTs
机译:
气源MBE对掺碳In / sub 0.53 / Ga / sub 0.47 / As的脱氢研究及其在InP / In / sub 0.53 / Ga / sub 0.47 / As HBT中的应用
作者:
Chen
;
Y.-J.
;
Kuo
;
J.M.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2000. Conference Proceedings. 2000 International Conference on》
|
2000年
33.
Demonstration of GSMBE grown InP-GaAs/sub 0.51/Sb/sub 0.49//InP DHBTs
机译:
演示GSMBE生长的InP-GaAs / sub 0.51 / Sb / sub 0.49 // InP DHBT
作者:
Matine
;
N.
;
Dvorak
;
M.W.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2000. Conference Proceedings. 2000 International Conference on》
|
2000年
34.
Dopant distribution in selectively regrown InP:Fe and InGaP:Fe studied by time-resolved photoluminescence
机译:
通过时间分辨光致发光研究选择性再生的InP:Fe和InGaP:Fe中的杂质分布
作者:
Gaarder
;
A.
;
Angulo Barrios
;
C.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2000. Conference Proceedings. 2000 International Conference on》
|
2000年
35.
Fabrication of InP-based HBT integrated circuits
机译:
基于InP的HBT集成电路的制造
作者:
Thomas S. III
;
Fields C.H.
;
Sokolich M.
;
Kiziloglu K.
;
Chow D.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2000. Conference Proceedings. 2000 International Conference on》
|
2000年
36.
High performance mode field converter GaInAsP laser integrated with improved butt-coupled passive waveguide
机译:
集成了改进的对接耦合无源波导的高性能模式场转换器GaInAsP激光器
作者:
Mukaihara
;
T.
;
Kurobe
;
T.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2000. Conference Proceedings. 2000 International Conference on》
|
2000年
37.
MBE growth of high quality metamorphic HEMT structures on GaAs
机译:
GaAs上高质量HEMT结构的MBE生长
作者:
Lubyshev D.
;
Liu W.K.
;
Stewart T.
;
Cornfeld A.B.
;
Patton J.
;
Millunchick J.M.
;
Hoke W.
;
Marsh P.F.
;
Meaton C.
;
Nichols K.
;
Svensson S.P.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2000. Conference Proceedings. 2000 International Conference on》
|
2000年
38.
Modeling of ultra-low-power AlSb/InAs HEMT-RITD circuits
机译:
超低功耗AlSb / InAs HEMT-RITD电路的建模
作者:
Ancona M.G.
;
Boos J.B.
;
Justh E.W.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2000. Conference Proceedings. 2000 International Conference on》
|
2000年
39.
Monolithic integration of lasers, photodiodes, waveguides and spot size converters on GaInAsP/InP for photonic IC applications
机译:
GaInAsP / InP上用于光子IC应用的激光器,光电二极管,波导和点尺寸转换器的单片集成
作者:
Hamacher
;
M.
;
Kaiser
;
R.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2000. Conference Proceedings. 2000 International Conference on》
|
2000年
40.
2D simulations of InGaAs/InAlAs/InP HEMTs with asymmetrical gate recess
机译:
具有不对称栅极凹槽的InGaAs / InAlAs / InP HEMT的2D模拟
作者:
Robin
;
F.
;
Homan
;
O.J.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2000. Conference Proceedings. 2000 International Conference on》
|
2000年
41.
Raman scattering study of InGaN ternary alloys grown by MOVPE on (0001) sapphire substrates
机译:
MOVPE在(0001)蓝宝石衬底上生长的InGaN三元合金的拉曼散射研究
作者:
Sugiura
;
T.
;
Kawaguchi
;
Y.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2000. Conference Proceedings. 2000 International Conference on》
|
2000年
42.
Temporally resolved growth of InP in the openings off-oriented from 110 direction
机译:
暂时解决了InP在110方向偏离的开口中的生长
作者:
Sun
;
Y.
;
Messmer
;
E.R.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2000. Conference Proceedings. 2000 International Conference on》
|
2000年
43.
TlInGaAs/InP DH structures with very small temperature-dependent bandgap energy
机译:
TlInGaAs / InP DH结构具有非常小的温度依赖性带隙能量
作者:
Asahi
;
H.
;
Ayabe
;
A.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2000. Conference Proceedings. 2000 International Conference on》
|
2000年
44.
Use of system simulation for the insertion of InP HEMT-based OEICs into fiber optic systems
机译:
使用系统仿真将基于InP HEMT的OEIC插入光纤系统
作者:
Dubois
;
A.
;
Aupetit-Berthelemot
;
C.
会议名称:
《Indium Phosphide and Related Materials, 2000. Conference Proceedings. 2000 International Conference on》
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2000年
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