机译:MBE生长条件对GaAs上InAlAs / InGaAs变质HEMT质量的影响
机译:MBE在GaAs衬底上生长的高质量变质HEMT
机译:MBE生长和快速热退火条件对正常和倒置AlGaAs / InGaAs伪晶HEMT结构的电性能的影响
机译:MBE GaAs上高质量变质箍结构的成长
机译:用于高性能HEMT的GaN异质结构的MBE生长
机译:MBE在GaAs上生长的应变GaAsSb / GaAs QW结构的光致发光和能带排列
机译:从0.1栅极InGaAs / InAlAs / GaAs变质HEMT产生的fmax = 433GHz