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邱凯; 张晓娟; 陈建炉;
南京电子器件研究所;
高电子迁移率晶体管; 分子来外延; 缓冲层; InGaAs; 铟钙砷化合物; MM—HEMT材料; 二维电子气迁移率; 生长温度;
机译:使用数字合金的高拉伸应变In_(1-x)Ga_xAs / In_(0.52)(Ga_(0.4)Al_(0.6))_(0.48)As多量子阱的MBE生长和光学性质
机译:MBE生长的In_xGa_(1-x)As / In_(0.52)Al_(0.48)As调制掺杂异质结构的迁移率增强
机译:气源MBE生长的Al_(0.52)In_(0.48)P光电探测器;
机译:优化的通道厚度,用于Pseudomorphic IN_(0.74)GA_(0.26)AS / IN_(0.52)AL_(0.48)作为量子阱HEMT结构,具有(4 1 1)由MBE生长的超平面接口
机译:极性对氨MBE生长的氮化镓的生长和材料性能的影响。
机译:InGaAs / InAlAs / InP量子级联激光器的In0.52Al0.48As波导层MBE生长条件的优化
机译:InP / In_ {0.53} Ga_ {0.47} As界面对In_ {0.52} Al_ {0.48} As / In_ {0.53} Ga_ {0.47} As异质结构中自旋轨道相互作用的影响
机译:假晶In(0.53 + x)Ga(0.47-x)as / In(0.52)al(0.48)as(0 <或= x <或= 0.32)调制掺杂场效应晶体管的性能特征与分子的关系-Beam外延生长模式
机译:MBE生长的p型氮化物半导体材料
机译:p型氮化物半导体材料的MBE生长
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