机译:优化的通道厚度,用于Pseudomorphic IN_(0.74)GA_(0.26)AS / IN_(0.52)AL_(0.48)作为量子阱HEMT结构,具有(4 1 1)由MBE生长的超平面接口
interfaces; high electron mobility transistors; semiconducting III―V materials; quantum wells; molecular beam epitaxy;
机译:由MBE生长的具有(411)A超平坦界面的拟态In_0.74Ga_0.26As / In_0.52Al_0.48As量子阱HEMT结构中的高电子迁移率的优化沟道厚度
机译:通过分子束外延生长在(411)A InP衬底上生长的准晶态In_(0.74)Ga_(0.26)As / In_(0.52)Al_(0.48)As量子阱的各向同性界面粗糙度
机译:具有(411)A超平界面的In_(0.53)Ga_(0.47)As / In_(0.52)Al_(0.48)As QW-HEMT结构中电子的界面粗糙度散射的表征
机译:优化的通道厚度,用于Pseudomorphic IN_(0.74)GA_(0.26)AS / IN_(0.52)AL_(0.48)作为量子阱HEMT结构,具有(4 1 1)由MBE生长的超平面接口
机译:InP / In_ {0.53} Ga_ {0.47} As界面对In_ {0.52} Al_ {0.48} As / In_ {0.53} Ga_ {0.47} As异质结构中自旋轨道相互作用的影响
机译:具有优化传输参数的应变In0.65Ga0.35as / In0.52al0.48as HEmT(高电子迁移率晶体管)的特性