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黎明; 张海英; 徐静波; 付晓君;
中国科学院微电子研究所;
MHEMT; InAIAs/InGaAs; 电子束光刻; T型栅;
机译:0.15μm栅长In_(0.4)Al_(0.6)As / In_(0.4)Ga_(0.6)As MHEMT的热行为研究
机译:用于Ka波段应用的高性能In_(0.52)Al_(0.48)As / In_(0.6)Ga_(0.4)As功率变质高电子迁移率晶体管
机译:使用数字合金的高拉伸应变In_(1-x)Ga_xAs / In_(0.52)(Ga_(0.4)Al_(0.6))_(0.48)As多量子阱的MBE生长和光学性质
机译:粘合温度对IN_(0.6)GA_(0.4)的性能的影响,作为使用倒装芯片(FCOB)技术包装的变质高电子迁移率晶体管(MHEMT)器件
机译:InP / In_ {0.53} Ga_ {0.47} As界面对In_ {0.52} Al_ {0.48} As / In_ {0.53} Ga_ {0.47} As异质结构中自旋轨道相互作用的影响
机译:In(0.6)Ga(0.4)as / In(0.52)al(0.48)作为调制掺杂场效应晶体管与In(0.53)Ga(0.47)as p-i-n光电二极管单片集成的性能特征
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