截止频率为218GHz的超高速晶格匹配In_(0.53)Ga_(0.47)As/In_(0.52)Al_(0.48)As高电子迁移率晶体管(英文)

刘亮; 张海英; 尹军舰; 李潇; 徐静波; 宋雨竹; 牛洁斌; 刘训春

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报道了截止频率为218GHz的晶格匹配的In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As高电子迁移率晶体管.这是迄今为止国内报道的截止频率最高的高电子迁移率晶体管.器件直流特性也很优异:跨导为980mS/mm,最大电流密度为870mA/mm.文中的材料结构和所有器件制备工艺均为本研究小组自主研制开发.

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来源
《半导体学报》 |2007年第12期|1864-1867|共4页
作者
刘亮; 张海英; 尹军舰; 李潇; 徐静波; 宋雨竹; 牛洁斌; 刘训春;
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作者单位

中国科学院微电子研究所;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类 TN325.3;
关键词
截止频率; 高电子迁移率晶体管; InGaAs/InAlAs; InP;

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