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In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As MM-HEMT材料MBE生长

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采用MBE生长技术,在半绝缘GaAs衬底上生长了大失配的In<,0.53>Ga<,0.47>As/In<,0.52>Al<,0.48>As MM-HEMT材料.对其进行了透射电镜(TEM)、PL谱以及Shhubnikov-de Hass(SdH)振荡测试,并通过有限差分法自恰求解薛定谔方程的泊松方程,给出了材料的导带结构、费米能级和量子阱中的子带波函数,完成了PL谱中峰的指认工作.

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来源
《第六届全国分子束外延学术会议》|2001年|31-32|共2页
会议地点贵阳
作者
崔利杰; 王保强; 朱战平;
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作者单位

中国电子学会;

中国有色金属学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN304.41;TN304.23;
关键词
分子束外延生长; MM-HEMT材料; 导电结构; 振荡测试; GaAs衬底;
入库时间 2022-08-17 10:20:41

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