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Control of Si doping in GaAs, (Al,Ga)As and other compound semiconductors during MBE growth

机译：MBE生长期间GaAs，（Al，Ga）As和其他化合物半导体中Si掺杂的控制

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A method of modulation doping GaAs, (Al,Ga)As and related compounds with silicon ions during molecular beam epitaxy (MBE) growth.

机译：一种在分子束外延（MBE）生长过程中用硅离子调制掺杂GaAs，（Al，Ga）As和相关化合物的方法。

著录项

公开/公告号US4550031A

专利类型
公开/公告日1985-10-29

原文格式PDF
申请/专利权人 HONEYWELL INC.;
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申请/专利号US19840674794
发明设计人 JONATHAN K. ABROKWAH;
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申请日1984-11-26
分类号B05D3/06;
国家 US
入库时间 2022-08-22 07:51:47

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