University of California, Berkeley.;
机译:立方三氮化物半导体的量子结构:MBE生长和表征
机译:立方III氮化物半导体的量子结构:MBE生长和表征
机译:氮离子能量对氮化镓薄膜MBE生长的影响
机译:III-V氮化物薄膜的MBE生长和量子阱结构
机译:发出可见光的III-V半导体合金的有机金属气相外延生长和表征:磷化砷化镓,磷化铟镓和磷化铝镓铟。
机译:使用顺序表面反应在室温和100°C下电子增强结晶氮化镓薄膜的生长
机译:分子束外延(MBE)法研究钼/硅薄膜的生长,结构和电子性能。
机译:monte-Carlo模拟mBE(分子束外延)III-V半导体的生长:RHEED强度动力学的生长动力学,机制和后果