通过制备超细间距微凸点实现金属互连的方法及相应器件

摘要

本发明公开了一种通过制备超细间距微凸点来实现半导体或固体器件金属互连的方法及相应器件，首先沉积碳化硅刻蚀停止层和电解质层，涂胶，干法在电解质层中刻蚀出孔，沉积金属种子层，填充金属，用CMP清除面上的金属，对电解质层进行刻蚀，形成金属露头结构并镀上抗氧化或低熔点的金属，再进行键合，该方法避免了凸点钻蚀，可以将凸点的间距缩小到几个微米级，甚至纳米级，远远小于目前的凸点间距尺寸；金属端面比电解质层高，可以克服由于CMP造成的金属表面的凹穴现象，保证在键合时上下金属通过塑性变形能完全接触，对晶圆CMP后的平整度要求降低；可以通过常规的热压法在较低的温度下完成键合，具有成本低的优势。