带通道截止沟槽的双栅极氧化物沟槽MOSFET及三或四掩膜工艺

摘要

本发明提出了一种带通道截止沟槽的双栅极氧化物沟槽MOSFET及三或四掩膜工艺。该半导体器件含有多个栅极电极，形成在位于半导体衬底有源区中的沟槽中。第一栅极滑道形成在衬底中，并且电连接到栅极电极上，其中第一栅极滑道包围着有源区。第二栅极滑道连接到第一栅极滑道上，并位于有源区和截止区之间。截止结构包围着第一和第二栅极滑道以及有源区。截止结构含有衬底中布满绝缘物的沟槽中的导电材料，其中截止结构短接至衬底的源极或本体层，从而构成器件的通道终点。