三菱电机开发出具有独特电场场限结构的沟槽型SiC-MOSFET

摘要

三菱电机株式会社开发出具有独特电场场限结构的沟槽型^[2]SiC[3]-MOSFET^[4],其耐压可达1500V以上,同时还具有全球领先水平⑴的器件通态电阻率——1.84m·Ω·cm^2。将该功率半导体器件搭载于功率半导体模块中,有助于实现电力电子设备的小型化和节能化。