变掺杂器件制作方法及变掺杂器件

摘要

本发明提供了一种变掺杂器件制作方法，包括：步骤S3，直接在半导体衬底上形成光刻层，将需要掺杂的杂质注入到半导体衬底中；步骤S4，去除光刻层；步骤S5，推阱；步骤S6，去除氧化层。采用本发明提供的掺杂器件制作方法所制作的掺杂器件表面平坦，从而消除由于表面不平导致的电场的负面效应。