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2012 Proceedings of the European Solid-State Device Research Conference.

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1.Graphene for microelectronics: Can it make a difference?

机译：石墨烯微电子：可以有所作为吗？
- 作者：Lemme Max C.
- 会议名称：《2012 Proceedings of the European Solid-State Device Research Conference.》 | 2012年
2.Nanostructure devices for logic and memory and beyond

机译：用于逻辑和存储及其他方面的纳米结构器件
- 作者：Tiwari Sandip
- 会议名称：《2012 Proceedings of the European Solid-State Device Research Conference.》 | 2012年
3.Modeling circuits with spins and magnets for all-spin logic

机译：具有自旋和磁体的电路用于全自旋逻辑
- 作者：Behin-Aein Behtash;Sarkar Angik;Datta Supriyo
- 会议名称：《2012 Proceedings of the European Solid-State Device Research Conference.》 | 2012年
4.Organic complementary circuits — Scaling towards low voltage and submicron channel length

机译：有机互补电路—缩小低压和亚微米通道的长度
- 作者：Klauk Hagen
- 会议名称：《2012 Proceedings of the European Solid-State Device Research Conference.》 | 2012年
5.4-Port isolated MOS modeling and extraction for mmW applications

机译：适用于mmW应用的4端口隔离MOS建模和提取
- 作者：Dormieu B.;Scheer P.;Charbuillet C.;Jan S.;Danneville F.
- 会议名称：《2012 Proceedings of the European Solid-State Device Research Conference.》 | 2012年
6.Variability aware cell library optimization for reliable sub-threshold operation

机译：可变性感知单元库优化可实现可靠的亚阈值操作
- 作者：Gemmeke Tobias;Ashouei Maryam
- 会议名称：《2012 Proceedings of the European Solid-State Device Research Conference.》 | 2012年
7.Advancements on reliability-aware analog circuit design

机译：具有可靠性的模拟电路设计的进步
- 作者：Ardouin B.;Dupuy J.-Y.;Godin J.;Nodjiadjim V.;Riet M.;Marc F.;Kone G. A.;Ghosh S.;Grandchamp B.;Maneux C.
- 会议名称：《2012 Proceedings of the European Solid-State Device Research Conference.》 | 2012年
8.Study of carrier transport in strained and unstrained SOI tri-gate and omega-gate Si-nanowire MOSFETs

机译：应变和非应变SOI三栅极和Ω栅极Si纳米线MOSFET中载流子传输的研究
- 作者：Koyama M.;Casse M.;Coquand R.;Barraud S.;Iwai H.;Ghibaudo G.;Reimbold G.
- 会议名称：《2012 Proceedings of the European Solid-State Device Research Conference.》 | 2012年
9.Stability and performance optimization of InGaAs-OI and GeOI hetero-channel SRAM cells

机译：InGaAs-OI和GeOI异质通道SRAM单元的稳定性和性能优化
- 作者：Hu Vita Pi-Ho;Fan Ming-Long;Su Pin;Chuang Ching-Te
- 会议名称：《2012 Proceedings of the European Solid-State Device Research Conference.》 | 2012年
10.Thin germanium dioxide film with a high quality interface formed in a direct neutral beam oxidation process

机译：在直接中性束氧化工艺中形成具有高质量界面的二氧化锗薄膜
- 作者：Wada Akira;Samukawa Seiji;Zhang Rui;Takagi Shinichi
- 会议名称：《2012 Proceedings of the European Solid-State Device Research Conference.》 | 2012年
11.The industrialization of the Silicon Photonics: Technology road map and applications

机译：硅光子学的工业化：技术路线图和应用
- 作者：Zuffada Maurizio
- 会议名称：《2012 Proceedings of the European Solid-State Device Research Conference.》 | 2012年
12.Solid-State and biological systems interface

机译：固态和生物系统接口
- 作者：Sun Nan;Liu Yong;Qin Ling;Xu Guangyu;Ham Donhee
- 会议名称：《2012 Proceedings of the European Solid-State Device Research Conference.》 | 2012年
13.CMOS compatible ALD high-k double slot grating couplers for on-chip optical interconnects

机译：CMOS兼容ALD高k双槽光栅耦合器，用于片上光学互连
- 作者：Naiini Maziar M.;Henkel Christoph;Malm Gunnar B.;Ostling Mikael
- 会议名称：《2012 Proceedings of the European Solid-State Device Research Conference.》 | 2012年
14.Transport in amorphous materials with applications to phase-change memories

机译：在非晶态材料中的运输及其在相变存储器中的应用
- 作者：Jacoboni Carlo;Piccinini Enrico;Buscemi Fabrizio
- 会议名称：《2012 Proceedings of the European Solid-State Device Research Conference.》 | 2012年
15.Comprehensive statistical comparison of RTN and BTI in deeply scaled MOSFETs by means of 3D #x2018;atomistic#x2019; simulation

机译：通过3D“原子”仿真，对深缩放MOSFET中的RTN和BTI进行全面的统计比较
- 作者：Amoroso Salvatore M.;Gerrer Louis;Markov Stanislav;Adamu-Lema Fikru;Asenov Asen
- 会议名称：《2012 Proceedings of the European Solid-State Device Research Conference.》 | 2012年
16.Sensitivity-based investigation of threshold voltage variability in 32-nm flash memory cells

机译：基于灵敏度的32nm闪存单元阈值电压可变性研究
- 作者：Bonfiglio Valentina;Iannaccone Giuseppe
- 会议名称：《2012 Proceedings of the European Solid-State Device Research Conference.》 | 2012年
17.Active strain modulation in field effect devices

机译：场效应器件中的主动应变调制
- 作者：van Hemert Tom;Hueting Raymond J.E.
- 会议名称：《2012 Proceedings of the European Solid-State Device Research Conference.》 | 2012年
18.Static and low frequency noise characterization of densely packed CNT-TFTs

机译：密集堆积的CNT-TFT的静态和低频噪声表征
- 作者：Joo Min-Kyu;Kim Un Jeong;Jeon Dae-Young;Park So Jeong;Mouis Mireille;Kim Gyu-Tae;Ghibaudo Gerard
- 会议名称：《2012 Proceedings of the European Solid-State Device Research Conference.》 | 2012年
19.Manufacturing aspects of an ultra-thin chip technology

机译：超薄芯片技术的制造方面
- 作者：Angelopoulos Evangelos A.;Al-Shahed Muhammad S.;Appel Wolfgang;Endler Stefan;Ferwana Saleh;Harendt Christine;Hassan Mahadi-Ul;Rempp Horst;Zimmermann Martin;Burghartz Joachim N.
- 会议名称：《2012 Proceedings of the European Solid-State Device Research Conference.》 | 2012年
20.Epitaxial growth of large-area p^#x002B;n diodes at 400 #x00BA;C by Aluminum-Induced Crystallization

机译：铝诱导结晶在400ºC外延生长p ^{+ n二极管}
- 作者：Sakic Agata;Qi Lin;Scholtes Tom L.M.;van der Cingel Johan;Nanver Lis K.
- 会议名称：《2012 Proceedings of the European Solid-State Device Research Conference.》 | 2012年
21.Current-voltage characteristics of vertical diodes for next generation memories

机译：下一代存储器的垂直二极管的电流-电压特性
- 作者：An Hokyun;Lee Kong-Soo;Kang Yoongoo;Jeong Seonghoon;Yoo Wonseok;Han Jae-Jong;Kim Bonghyun;Lim Hanjin;Nam Seokwoo;Jeong Gi-Tae;Kang Ho-Kyu;Chung Chilhee;Choi Byoungdeog
- 会议名称：《2012 Proceedings of the European Solid-State Device Research Conference.》 | 2012年
22.Si tunneling transistors with high on-currents and slopes of 50 mV/dec using segregation doped Nisi2 tunnel junctions

机译：使用隔离掺杂的Nisi2隧道结，具有高导通电流和50 mV / dec的斜率的Si隧道晶体管
- 作者：Knoll L.;Zhao Q. T.;Trellenkamp S.;Schafer A.;Bourdelle K. K.;Mantl S.
- 会议名称：《2012 Proceedings of the European Solid-State Device Research Conference.》 | 2012年
23.Micro- and nano-link ultra-low power heaters for sensors

机译：用于传感器的微和纳米链接超低功率加热器
- 作者：Groenland A. W.;Vereshchagina E.;Kovalgin A. Y.;Wolters R. A. M.;Gardeniers J. G. E.;Schmitz J.
- 会议名称：《2012 Proceedings of the European Solid-State Device Research Conference.》 | 2012年
24.On the correlation between the retention time of FBRAM and the low-frequency noise of UTBOX SOI nMOSFETs

机译：FBRAM的保留时间与UTBOX SOI nMOSFET的低频噪声之间的相关性
- 作者：Simoen E.;Aoulaiche M.;Veloso A.;Jurczak M.;Claeys C.;Almeida L. Mendes;Andrade M. G. C.;Rodriguez A. Luque;Tejada J. A. Jimenez;Caillat C.;Fazan P.
- 会议名称：《2012 Proceedings of the European Solid-State Device Research Conference.》 | 2012年
25.Complementary RF-LDMOS transistors realized with standard CMOS implantations

机译：通过标准CMOS注入实现互补的RF-LDMOS晶体管
- 作者：Mai Andreas;Rucker Holger
- 会议名称：《2012 Proceedings of the European Solid-State Device Research Conference.》 | 2012年
26.Effect of substrate bias on frequency dependence of MOSFET noise intensity

机译：衬底偏置对MOSFET噪声强度的频率依赖性的影响
- 作者：Ohmori Kenji;Hettiarachchi Ranga;Yamada Keisaku
- 会议名称：《2012 Proceedings of the European Solid-State Device Research Conference.》 | 2012年
27.An integration approach for graphene double-gate transistors

机译：石墨烯双栅晶体管的集成方法
- 作者：Vaziri S.;Smith A. D.;Henkel C.;Ostling M.;Lemme M. C.;Lupina G.;Lippert G.;Dabrowski J.;Mehr W.
- 会议名称：《2012 Proceedings of the European Solid-State Device Research Conference.》 | 2012年
28.Impact of front-back gate coupling on low frequency noise in 28 nm FDSOI MOSFETs

机译：前后栅极耦合对28 nm FDSOI MOSFET中的低频噪声的影响
- 作者：Theodorou Christoforos G.;Ioannidis Eleftherios G.;Haendler Sebastien;Planes Nicolas;Arnaud Franck;Jomaah Jalal;Dimitriadis Charalabos A.;Ghibaudo Gerard
- 会议名称：《2012 Proceedings of the European Solid-State Device Research Conference.》 | 2012年
29.Kink effect characterization in AlGaN/GaN HEMTs by DC and drain current transient measurements

机译：通过直流和漏极电流瞬态测量表征AlGaN / GaN HEMT中的扭结效应
- 作者：Brunel L.;Malbert N.;Curutchet A.;Labat N.;Lambert B.
- 会议名称：《2012 Proceedings of the European Solid-State Device Research Conference.》 | 2012年
30.Effects of disorder on transport properties of extremely scaled graphene nanoribbons

机译：无序度对超尺度石墨烯纳米带传输性能的影响
- 作者：Poljak M.;Song E. B.;Wang M.;Suligoj T.;Wang K. L.
- 会议名称：《2012 Proceedings of the European Solid-State Device Research Conference.》 | 2012年
31.High voltage low Ron in-situ SiN/Al0.35GaN0.65/GaN-on-Si power HEMTs operation up to 300#x00B0;C

机译：高压低Ron原位SiN / Al0.35GaN0.65 / GaN-on-Si功率HEMT的工作温度高达300°C
- 作者：Fontsere A.;Perez-Tomas A.;Godignon P.;Millan J.;Parsey J. M.;Moens P.
- 会议名称：《2012 Proceedings of the European Solid-State Device Research Conference.》 | 2012年
32.Deterministic simulation of 3D and quasi-2D electron and hole systems in SiGe devices

机译：SiGe器件中3D和准2D电子和空穴系统的确定性仿真
- 作者：Jungemann Christoph;Hong Sung-Min;Meinerzhagen Bernd;Pham Anh-Tuan
- 会议名称：《2012 Proceedings of the European Solid-State Device Research Conference.》 | 2012年
33.New parameter extraction method based on split C-V for FDSOI MOSFETs

机译：基于分裂C-V的FDSOI MOSFET参数提取新方法
- 作者：Ben Akkez I.;Cros A.;Fenouillet-Beranger C.;Boeuf F.;Rafhay Q.;Balestra F.;Ghibaudo G.
- 会议名称：《2012 Proceedings of the European Solid-State Device Research Conference.》 | 2012年
34.Methodology for extracting the characteristic capacitances of a power MOSFET transistor, using conventional on-wafer testing techniques

机译：使用常规晶圆上测试技术提取功率MOSFET晶体管的特征电容的方法
- 作者：Kerner C.;Ciofi I.;Chiarella T.;Van Huylenbroeck S.
- 会议名称：《2012 Proceedings of the European Solid-State Device Research Conference.》 | 2012年
35.Extreme temperature 4H-SiC metal-semiconductor-metal ultraviolet photodetectors

机译：极限温度4H-SiC金属-半导体-金属紫外光电探测器
- 作者：Lien Wei-Cheng;Pisano Albert P.;Tsai Dung-Sheng;He Jr-Hau;Senesky Debbie G.
- 会议名称：《2012 Proceedings of the European Solid-State Device Research Conference.》 | 2012年
36.A silicon photomultiplier with #x003E;30 detection efficiency from 450–750nm and 11.6#x03BC;m pitch NMOS-only pixel with 21.6 fill factor in 130nm CMOS

机译：一个硅光电倍增管，在450–750nm范围内具有> 30％的检测效率，并且间距为11.6μm的仅NMOS像素，在130nm CMOS中的填充率为21.6％
- 作者：Webster Eric A. G.;Walker Richard J.;Henderson Robert K.;Grant Lindsay A.
- 会议名称：《2012 Proceedings of the European Solid-State Device Research Conference.》 | 2012年
37.On the UTBB SOI MOSFET performance improvement in quasi-double-gate regime

机译：关于UTBB SOI MOSFET在准双栅状态下的性能改进
- 作者：Kilchytska V.;Flandre D.;Andrieu F.
- 会议名称：《2012 Proceedings of the European Solid-State Device Research Conference.》 | 2012年
38.A 5.61 pJ, 16 kb 9T SRAM with single-ended equalized bitlines and fast local write-back for cell stability improvement

机译：具有单端均衡位线和快速本地回写功能的5.61 pJ，16 kb 9T SRAM，可提高单元稳定性
- 作者：Li Qi;Wang Bo;Kim Tony T.
- 会议名称：《2012 Proceedings of the European Solid-State Device Research Conference.》 | 2012年
39.An advanced statistical compact model strategy for SRAM simulation at reduced VDD

机译：用于降低VDD的SRAM仿真的高级统计紧凑模型策略
- 作者：Asenov P.;Reid D.;Roy S.;Millar C.;Asenov A.
- 会议名称：《2012 Proceedings of the European Solid-State Device Research Conference.》 | 2012年
40.Pulsed I(V) — pulsed RF measurement system for microwave device characterization with 80ns/45GHz

机译：脉冲I（V）—脉冲RF测量系统，用于表征80ns / 45GHz的微波设备
- 作者：Weis Mario;Fregonese Sebastien;Santorelli Marco;Sahoo Amit Kumar;Maneux Cristell;Zimmer Thomas
- 会议名称：《2012 Proceedings of the European Solid-State Device Research Conference.》 | 2012年
41.Future silicon technology

机译：未来的硅技术
- 作者：Kim Kinam
- 会议名称：《2012 Proceedings of the European Solid-State Device Research Conference.》 | 2012年
42.BSIM — Industry standard compact MOSFET models

机译：BSIM —行业标准的紧凑型MOSFET模型
- 作者：Singh Chauhan Yogesh;Venugopalan Sriram;Karim Mohammed A.;Khandelwal Sourabh;Paydavosi Navid;Thakur Pankaj;Niknejad Ali M.;Hu Chenming C.
- 会议名称：《2012 Proceedings of the European Solid-State Device Research Conference.》 | 2012年
43.Evaluation of the BSIM6 compact MOSFET model's scalability in 40nm CMOS technology

机译：评估BSIM6紧凑型MOSFET模型在40nm CMOS技术中的可扩展性
- 作者：Chalkiadaki M.-A.;Mangia A.;Enz C. C.;Chauhan Y. S.;Karim M. A.;Venugopalan S.;Niknejad A.;Hu C.
- 会议名称：《2012 Proceedings of the European Solid-State Device Research Conference.》 | 2012年
44.Design challenges for nano-scale devices

机译：纳米器件的设计挑战
- 作者：Belleville Marc;Thomas Olivier;Valentian Alexandre;Clermidy Fabien
- 会议名称：《2012 Proceedings of the European Solid-State Device Research Conference.》 | 2012年
45.Two-step annealing effects on ultrathin EOT higher-k (k #x003D; 40) ALD-HfO2 gate stacks

机译：两步退火对超薄EOT高k（k = 40）ALD-HfO2栅堆叠的影响
- 作者：Morita Yukinori;Migita Shinji;Mizubayashi Wataru;Masahara Meishoku;Ota Hiroyuki
- 会议名称：《2012 Proceedings of the European Solid-State Device Research Conference.》 | 2012年
46.(100)- and (110)-oriented nMOSFETs with highly scaled EOT in La-silicate/Si interface for multi-gate architecture

机译：（100）和（110）方向的nMOSFET，在La-Slate / Si界面中具有高度缩放的EOT，适用于多栅极架构
- 作者：Kawanago T.;Kakushima K.;Ahmet P.;Kataoka Y.;Nishiyama A.;Sugii N.;Tsutsui K.;Natori K.;Hattori T.;Iwai H.
- 会议名称：《2012 Proceedings of the European Solid-State Device Research Conference.》 | 2012年
47.Advancing high performance heterogeneous integration through die stacking

机译：通过芯片堆叠推进高性能异构集成
- 作者：Madden Liam;Wu Ephrem;Kim Namhoon;Banijamali Bahareh;Abugharbieh Khaldoon;Ramalingam Suresh;Wu Xin
- 会议名称：《2012 Proceedings of the European Solid-State Device Research Conference.》 | 2012年
48.Geometry based resistance model for phase change memory

机译：基于几何的相变存储器电阻模型
- 作者：Kwong K. C.;Mok Philip K. T.;Chan Mansun
- 会议名称：《2012 Proceedings of the European Solid-State Device Research Conference.》 | 2012年
49.Drain-conductance optimization in nanowire TFETs

机译：纳米线TFET中的漏极电导优化
- 作者：Gnani E.;Reggiani S.;Gnudi A.;Baccarani G.
- 会议名称：《2012 Proceedings of the European Solid-State Device Research Conference.》 | 2012年
50.Statistical variability in 14-nm node SOI FinFETs and its impact on corresponding 6T-SRAM cell design

机译：14nm节点SOI FinFET的统计可变性及其对相应6T-SRAM单元设计的影响
- 作者：Wang Xingsheng;Cheng Binjie;Brown Andrew R.;Millar Campbell;Asenov Asen
- 会议名称：《2012 Proceedings of the European Solid-State Device Research Conference.》 | 2012年
51.Scaling of Trigate nanowire (NW) MOSFETs Down to 5 nm Width: 300 K transition to Single Electron Transistor, challenges and opportunities

机译：缩小至5 nm宽度的Trigate纳米线（NW）MOSFET的规模：300 K过渡到单电子晶体管，挑战和机遇
- 作者：Deshpande V.;Barraud S.;Jehl X.;Wacquez R.;Vinet M.;Coquand R.;Roche B.;Voisin B.;Triozon F.;Vizioz C.;Tosti L.;Previtali B.;Perreau P.;Poiroux T.;Sanquer M.;Faynot O.
- 会议名称：《2012 Proceedings of the European Solid-State Device Research Conference.》 | 2012年
52.Mechanically flexible double gate a-IGZO TFTs

机译：机械柔性双栅极a-IGZO TFT
- 作者：Munzenrieder Niko;Zysset Christoph;Kinkeldei Thomas;Petti Luisa;Salvatore Giovanni A.;Troster Gerhard
- 会议名称：《2012 Proceedings of the European Solid-State Device Research Conference.》 | 2012年
53.Top-down fabricated ZnO nanowire transistors for application in biosensors

机译：自上而下制造的用于生物传感器的ZnO纳米线晶体管
- 作者：Sultan S. M.;Sun K.;de Planque M. R. R.;Ashburn P.;Chong H. M. H.
- 会议名称：《2012 Proceedings of the European Solid-State Device Research Conference.》 | 2012年
54.A comparative analysis of tunneling FET circuit switching characteristics and SRAM stability and performance

机译：隧道FET电路开关特性与SRAM稳定性和性能的比较分析
- 作者：Chen Yin-Nien;Fan Ming-Long;Hu Pi-Ho;Tsai Ming-Fu;Pao Chia-Hao;Su Pin;Chuang Ching-Te
- 会议名称：《2012 Proceedings of the European Solid-State Device Research Conference.》 | 2012年
55.Tunnel FET with non-uniform gate capacitance for improved device and circuit level performance

机译：具有非均匀栅极电容的隧道FET，可改善器件和电路级性能
- 作者：Alper Cem;De Michielis Luca;Dagtekin Nilay;Lattanzio Livio;Ionescu Adrian M.
- 会议名称：《2012 Proceedings of the European Solid-State Device Research Conference.》 | 2012年
56.From FinFET to nanowire ISFET

机译：从FinFET到纳米线ISFET
- 作者：Zaborowski Michal;Tomaszewski Daniel;Dumania Piotr;Grabiec Piotr
- 会议名称：《2012 Proceedings of the European Solid-State Device Research Conference.》 | 2012年
57.Resistive switching memory using titanium-oxide nanoparticle films

机译：使用氧化钛纳米粒子膜的电阻开关存储器
- 作者：Verrelli E.;Tsoukalas D.;Normand P.;Boukos N.;Kean A. H.
- 会议名称：《2012 Proceedings of the European Solid-State Device Research Conference.》 | 2012年
58.An array-based Chip Lifetime Predictor macro for gate dielectric failures in core and IO FETs

机译：基于阵列的芯片寿命预测器宏，用于内核和IO FET中的栅极介电故障
- 作者：Jain Pulkit;Keane John;Kim Chris H.
- 会议名称：《2012 Proceedings of the European Solid-State Device Research Conference.》 | 2012年
59.Unified characterization of RTN and BTI for circuit performance and variability simulation

机译：RTN和BTI的统一特性可用于电路性能和可变性仿真
- 作者：Ayala N.;Martin-Martinez J.;Rodriguez R.;Nafria M.;Aymerich X.
- 会议名称：《2012 Proceedings of the European Solid-State Device Research Conference.》 | 2012年
60.Random Telegraph Signal noise properties of HfOx RRAM in high resistive state

机译：高阻态HfOx RRAM的随机电报信号噪声特性
- 作者：Puglisi Francesco M.;Pavan Paolo;Padovani Andrea;Larcher Luca;Bersuker Gennadi
- 会议名称：《2012 Proceedings of the European Solid-State Device Research Conference.》 | 2012年
61.On the impact of Ag doping on performance and reliability of GeS2-based Conductive Bridge Memories

机译：Ag掺杂对GeS2基导电桥存储器性能和可靠性的影响
- 作者：Vianello E.;Cagli C.;Molas G.;Souchier E.;Blaise P.;Carabasse C.;Rodriguez G.;Jousseaume V.;De Salvo B.;Longnos F.;Dahmani F.;Verrier P.;Bretegnier D.;Liebault J.
- 会议名称：《2012 Proceedings of the European Solid-State Device Research Conference.》 | 2012年
62.Analysis of the effect of cell parameters on the maximum RRAM array size considering both read and write

机译：同时考虑读写的单元参数对最大RRAM阵列大小的影响分析
- 作者：Zhang Leqi;Cosemans Stefan;Wouters Dirk J.;Groeseneken Guido;Jurczak Malgorzata
- 会议名称：《2012 Proceedings of the European Solid-State Device Research Conference.》 | 2012年
63.Carbon-doped Ge2Sb2Te5 phase-change memory devices featuring reduced RESET current and power consumption

机译：碳掺杂的Ge2Sb2Te5相变存储器件，具有减小的RESET电流和功耗
- 作者：Hubert Q.;Jahan C.;Toffoli A.;Navarro G.;Chandrashekar S.;Noe P.;Sousa V.;Perniola L.;Nodin J.-F.;Persico A.;Maitrejean S.;Roule A.;Henaff E.;Tessaire M.;Zuliani P.;Annunziata R.;Reimbold G.;Pananakakis G.;De Salvo B.
- 会议名称：《2012 Proceedings of the European Solid-State Device Research Conference.》 | 2012年
64.Transport properties of strained silicon nanowires

机译：应变硅纳米线的传输特性
- 作者：Niquet Yann-Michel;Delerue Christophe;Nguyen Viet Hung;Krzeminski Christophe;Triozon Francois
- 会议名称：《2012 Proceedings of the European Solid-State Device Research Conference.》 | 2012年
65.Tin nanowire field effect transistor

机译：锡纳米线场效应晶体管
- 作者：Ansari Lida;Fagas Giorgos;Greer James C.
- 会议名称：《2012 Proceedings of the European Solid-State Device Research Conference.》 | 2012年
66.High temperature behaviour of GaN-on-Si high power MISHEMT devices

机译：GaN-on-Si大功率MISHEMT器件的高温行为
- 作者：Wellekens Dirk;Venegas Rafael;Kang Xuanwu;Zahid Mohammed;Wu Tian-Li;Marcon Denis;Srivastava Puneet;Van Hove Marleen;Decoutere Stefaan
- 会议名称：《2012 Proceedings of the European Solid-State Device Research Conference.》 | 2012年
67.Critical gate module process enabling the implementation of a 50A/600V AlGaN/GaN MOS-HEMT

机译：关键栅极模块工艺可实现50A / 600V AlGaN / GaN MOS-HEMT
- 作者：Khalil S. G.;Chu R.;Li R.;Wong D.;Newell S.;Chen X.;Chen M.;Zehnder D.;Kim S.;Corrion A.;Hughes B.;Boutros K.;Namuduri C.
- 会议名称：《2012 Proceedings of the European Solid-State Device Research Conference.》 | 2012年
68.Scaling of InAlN/GaN power transistors

机译：InAlN / GaN功率晶体管的缩放
- 作者：Piedra Daniel;Lee Hyung-Seok;Palacios Tomas;Gao Xiang;Guo Shiping
- 会议名称：《2012 Proceedings of the European Solid-State Device Research Conference.》 | 2012年
69.A Multi-Subband Monte Carlo study of electron transport in strained SiGe n-type FinFETs

机译：应变SiGe n型FinFET中电子传输的多子带蒙特卡洛研究
- 作者：Lizzit D.;Palestri P.;Esseni D.;Conzatti F.;Selmi L.
- 会议名称：《2012 Proceedings of the European Solid-State Device Research Conference.》 | 2012年
70.A gate Modulated avalanche bipolar transistor in 130nm CMOS technology

机译：采用130nm CMOS技术的栅极调制雪崩双极晶体管
- 作者：Henderson Robert K.;Webster Eric A. G.;Walker Richard
- 会议名称：《2012 Proceedings of the European Solid-State Device Research Conference.》 | 2012年
71.Low-noise and large-area CMOS SPADs with timing response free from slow tails

机译：低噪声，大面积CMOS SPAD，时序响应无慢尾
- 作者：Bronzi Danilo;Villa Federica;Bellisai Simone;Markovic Bojan;Tisa Simone;Tosi Alberto;Zappa Franco;Weyers Sascha;Durini Daniel;Brockherde Werner;Paschen Uwe
- 会议名称：《2012 Proceedings of the European Solid-State Device Research Conference.》 | 2012年
72.Low-power DRAM-compatible Replacement Gate High-k/Metal Gate stacks

机译：低功耗DRAM兼容替换门High-k / Metal Gate堆栈
- 作者：Ritzenthaler R.;Schram T.;Bury E.;Mitard J.;Ragnarsson L.-A.;Groeseneken G.;Horiguchi N.;Thean A.;Spessot A.;Caillat C.;Srividya V.;Fazan P.
- 会议名称：《2012 Proceedings of the European Solid-State Device Research Conference.》 | 2012年
73.TCAD degradation modeling for LDMOS transistors

机译：LDMOS晶体管的TCAD降级建模
- 作者：Reggiani S.;Barone G.;Gnani E.;Gnudi A.;Poli S.;Chuang M.-Y.;Tian W.;Wise R.
- 会议名称：《2012 Proceedings of the European Solid-State Device Research Conference.》 | 2012年
74.Multibranch mobility characterization: Evidence of carrier mobility enhancement by back-gate biasing in FD-SOI MOSFET

机译：多分支迁移率表征：通过FD-SOI MOSFET中的背栅偏置提高载流子迁移率的证据
- 作者：Navarro C.;Rodriguez N.;Donetti L.;Oliata A.;Gamiz F.;Andrieu F.;Faynot O.;Fenouillet-Berangerand C.;Cristoloveanu S.
- 会议名称：《2012 Proceedings of the European Solid-State Device Research Conference.》 | 2012年
75.Z²-FET used as 1-transistor high-speed DRAM

机译：Z ^{2 -FET用作1-晶体管高速DRAM}
- 作者：Wan Jing;Le Royer Cyrille;Zaslavsky Alexander;Cristoloveanu Sorin
- 会议名称：《2012 Proceedings of the European Solid-State Device Research Conference.》 | 2012年
76.High performance printed N and P-type OTFTs for complementary circuits on plastic substrate

机译：高性能印刷N和P型OTFT，用于塑料基板上的互补电路
- 作者：Jacob S.;Benwadih M.;Bablet J.;Chartier I.;Gwoziecki R.;Abdinia S.;Cantatore E.;Maddiona L.;Tramontana F.;Maiellaro G.;Mariucci L.;Palmisano G.;Coppard R.
- 会议名称：《2012 Proceedings of the European Solid-State Device Research Conference.》 | 2012年
77.A gate-last In0.53Ga0.47As channel FinFET with Molybdenum source/drain contacts

机译：带有钼源极/漏极触点的后栅极In0.53Ga0.47As通道FinFET
- 作者：Zhang Xingui;Guo Hua Xin;Gong Xiao;Yeo Yee-Chia
- 会议名称：《2012 Proceedings of the European Solid-State Device Research Conference.》 | 2012年
78.Electron transport in germanium junctionless nanowire transistors

机译：锗无结纳米线晶体管中的电子传输
- 作者：Razavi Pedram;Fagas Giorgos;Ferain Isabelle;Yu Ran;Das Samaresh
- 会议名称：《2012 Proceedings of the European Solid-State Device Research Conference.》 | 2012年
79.Low-frequency noise assessment of the transport mechanisms in SiGe channel bulk FinFETs

机译：SiGe沟道体FinFET中传输机制的低频噪声评估
- 作者：Romeo T.;Pantisano L.;Simoen E.;Krom R.;Togo M.;Horiguchi N.;Mitard J.;Thean A.;Groeseneken G.;Claeys C.;Crupi F.
- 会议名称：《2012 Proceedings of the European Solid-State Device Research Conference.》 | 2012年
80.MTJ-based implication logic gates and circuit architecture for large-scale spintronic stateful logic systems

机译：大型自旋电子有状态逻辑系统的基于MTJ的蕴涵逻辑门和电路架构
- 作者：Mahmoudi Hiwa;Sverdlov Viktor;Selberherr Siegfried
- 会议名称：《2012 Proceedings of the European Solid-State Device Research Conference.》 | 2012年
81.The role of the temperature on the scattering mechanisms limiting the electron mobility in metal-oxide-semiconductor field-effect-transistors fabricated on (110) silicon-oriented wafers

机译：温度对散射机制的作用限制了在（110）硅取向晶片上制造的金属氧化物半导体场效应晶体管中的电子迁移率
- 作者：Gaubert Philippe;Teramoto Akinobu;Sugawa Shigetoshi;Ohmi Tadahiro
- 会议名称：《2012 Proceedings of the European Solid-State Device Research Conference.》 | 2012年
82.Novel Deep Trench Buried-Body-Contact (DBBC) of 4F² cell for sub 30nm DRAM technology

机译：适用于30nm以下DRAM技术的4F ^{2 单元的新型深沟槽埋入式接触（DBBC）}
- 作者：Cho Youngseung;Hwang Yoosang;Kim Huijung;Lee Eunok;Hong Soojin;Chung Hyunwoo;Kim Daeik;Kim Jiyoung;Oh Yongchul;Hong Hyeongsun;Jin Gyo-Young;Chung Chilhee
- 会议名称：《2012 Proceedings of the European Solid-State Device Research Conference.》 | 2012年