GaN单晶衬底和GaN单晶衬底的表面加工方法

摘要

本发明提供了一种氮化镓单晶衬底的表面加工方法，包括下列步骤：将置于支架台上的氮化镓原始衬底的顶面和底面平面化；将波长在370～800nm范围内的光线照射在所述被加工成平面的氮化镓原始衬底上；测量所述氮化镓原始衬底的透射率；并确认所述透射率是否在65～90％范围内。通过所述表面加工方法抛光其两面得到的氮化镓单晶衬底在用波长在370～800nm范围内的光线测量时具有65～90％的高透射率。并且，在所述氮化镓单晶衬底两面的损伤层的厚度比(DL