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毛祥军; 叶志镇;
北京大学物理系人工微结构和介观物理国家重点实验室;
浙江大学硅材料国家重点实验室;
衬底; 氧化锌; 氮化镓; 单晶; 薄膜; 蓝色; LED;
机译:Si,GaAs和Al2O3衬底上生长的ZnO薄膜的结构特性与GaN模板的比较研究
机译:等离子体辅助分子束外延在(1120)a面蓝宝石衬底上生长高质量ZnO薄膜
机译:水热生长的ZnO缓冲层,用于在MgAl_2O_4(111)衬底上生长高度(4 wt%)掺杂Ga的ZnO外延薄膜
机译:脉冲激光烧蚀在蓝宝石上生长高质量单晶ZnO薄膜
机译:通过发光光谱和X射线衍射测定在6H-SiC(0001)衬底上生长的GaN和Al(x)Ga(1-x)N薄膜的应变和组成。
机译:使用低Al组成的单个AlGaN层在Si衬底上生长高质量和均匀的AlGaN / GaN异质结构
机译:GaN衬底上生长的晶圆尺寸和单晶MoSe_2原子薄膜,用于发光和收集
机译:通过分子束外延在硅衬底上生长高质量Gaas mEsFET
机译:GaN单晶衬底,制造GaN单晶衬底的方法,在GaN单晶衬底上形成的发光元件以及制造该GaN单晶衬底的方法
机译:氧化锌(ZnO)基单晶的制造方法,ZnO基薄膜和ZnO基单晶薄膜,以及ZnO基单晶薄膜和包含该ZnO基单晶薄膜的ZnO基材料
机译:氧化锌(ZnO)基单晶纳米结构,制备ZnO基薄膜和ZnO基单晶薄膜,ZnO基单晶薄膜和ZnO基材料包含ZnO薄膜的方法
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