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崔勇国; 张源涛; 朱慧超; 张宝林; 李万程; 杜国同;
吉林大学电子科学与工程学院集成光电子国家重点实验室;
金属有机化学汽相沉积; ZnO薄膜; 半导体材料;
机译:通过MOCVD在GaAs衬底上生长ZnO(002)和ZnO(100)膜
机译:通过超声喷雾热解在接种有ZnO的Si(100)衬底上生长的高度(002)取向的ZnO薄膜
机译:MOCVD和ZnO / Si异质结在Si衬底上生长的ZnO薄膜的性能
机译:ZnO膜在(0001)A1_2O_3和(111)Si衬底上沉积的ZnO膜通过MOCVD用作缓冲层的ZnO薄膜生长的GaN层
机译:二维电子气(2DEG)生长的Zn-极性BeMgZnO / ZnO异质结构和BeMgZnO / ZnO异质结构上银肖特基二极管的制备
机译:Si(100)衬底上的半极性r平面ZnO薄膜:薄膜外延和光学性质
机译:Ga和as从半绝缘Gaas衬底异常扩散到mOCVD生长的ZnO薄膜中作为退火温度的函数及其对电荷补偿的影响
机译:通过mOCVD生长的p型ZnO薄膜。
机译:在si衬底上生长的gaas薄膜的制备方法及在si衬底上生长的gaas薄膜的制备方法
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