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采用MOCVD方法在(001)Si衬底上生长ZnO薄膜

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本文采用MOCVD方法在(001)Si衬底上生长ZnO薄膜,并在空气中800℃退火1小时.生长及退火样品的XRD图谱均显示了较强的(002)ZnO衍射峰,表明ZnO薄膜为c轴高取向生长.通过拉曼光谱的结果分析,显示退火后ZnO薄膜的E<,2>散射峰强度增加且半宽减小.

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来源
《中国有色金属学会第八届全国MOCVD学术会议》|2003年|70-70|共1页
会议地点牡丹江
作者
张源涛; 刘大力; 马艳; 杨小天; 赵佰军; 张景林; 常遇春; 李万程; 杨天鹏; 刘博阳; 杨洪军; 杨树人; 杜国同;
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作者单位

中国有色金属学会;

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会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN304.21;TN304.055;
关键词
ZnO薄膜; Si衬底; MOCVD; 退火; 宽禁带半导体材料;

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