Quantum Dots (QDs); semiconductor III-V; Metal Organic Chemical Vapor Deposition (MOCVD);
机译:通过MOCVD在InP(001)衬底上生长的InAs量子点的光学性质
机译:双峰尺寸分布对在相邻GaAs(100)衬底上通过MOCVD生长的InAs量子点的温度和光学性质的依赖性
机译:双峰尺寸分布对通过MOCVD在邻近GaAs(100)衬底上生长的InAs量子点的温度和光学性质的依赖性
机译:在(001)Si上生长的InAs量子点微盘激光器以通信波长发射
机译:短波长铟铝镓磷化镁井激光器和磷化铟量子点耦合到应变铟铝镓磷化钯量子孔孔孔,由MOCVD种植
机译:硅衬底上直接生长的InAs / InGaAs / GaAs量子点太阳能电池
机译:通过MOCVD在300mm GE缓冲的Si(001)衬底上产生的o频带Qualtum Dots