机译:双峰尺寸分布对通过MOCVD在邻近GaAs(100)衬底上生长的InAs量子点的温度和光学性质的依赖性
National Research Center of Optoelectronic Technology, Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100083, China;
self-assembled quantum dots; indium arsenide; bimodal size distribution; MOCVD;
机译:双峰尺寸分布对在相邻GaAs(100)衬底上通过MOCVD生长的InAs量子点的温度和光学性质的依赖性
机译:双峰尺寸分布对邻近GaAs(100)衬底上生长的InAs量子点的温度和光学性质的影响
机译:双峰尺寸分布对通过MOCVD在邻近GaAs(100)衬底上生长的InAs量子点的温度和光学性质的依赖性
机译:在邻近GaAs(100)基板上的INAS量子点的异常温度依赖性双峰尺寸演化
机译:InAs / GaAs量子点太阳能电池和InAs纳米线在光伏器件中的应用的光学和机械研究。
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