Dependence of bimodal size distribution on temperature and optical properties of InAs quantum dots grown on vicinal GaAs (100) substrates by using MOCVD

著录项

• 来源
  《中国物理：英文版》 |2006年第5期|1114-1119|共6页
• 作者

  Liang Song; Zhu Hong-Liang; Pan Jiao-Qing; Wang Wei;

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• 作者单位

  National Research Center of Optoelectronic Technology Institute of Semiconductors Chinese Academy of Sciences Beijing 100083 China;

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• 原文格式 PDF
• 正文语种 chi
• 中图分类 物理学;
• 关键词

  self-assembled quantum dots; indium arsenide; bimodal size distribution; MOCVD;

  机译：自组装量子点砷化铟双峰大小分布;化学气相沉积;