声明
摘要
1．1引言
1．2 GaN的晶体结构和性质
1．3 GaN晶体的生长方法
1．3．1氨热法生长GaN晶体
1．3．2 Na助熔剂法生长GaN晶体
1．3．3 HVPE法生长GaN晶体
1．4异质外延生长GaN晶体用衬底
1．4．1蓝宝石衬底
1．4．2 SiC衬底
1．4．3 Si衬底
1．5 GaN晶体中的缺陷
1．5．1 GaN晶体中的点缺陷
1．5．2 GaN晶体中的线缺陷
1．5．3 GaN晶体中的面缺陷
1．5．4 GaN晶体中的体缺陷
1．6选题依据和主要研究内容
参考文献
第二章酸碱腐蚀制备多孔缓冲衬底及其GaN单晶生长研究
2．2．1磷酸腐蚀制备多孔缓冲衬底
2．2．2氢氟酸腐蚀制备多孔缓冲衬底
2．2．3硝酸和过氧化氢腐蚀制备多孔缓冲衬底
2．2．4硝酸和磷酸混合溶液腐蚀制备多孔缓冲衬底
2．3碱腐蚀制备多孔缓冲衬底
2．3．1氢氧化钾溶液腐蚀制备多孔缓冲衬底
2．3．2氧化剂或者紫外光辅助下的碱溶液腐蚀制备多孔缓冲衬底
2．4利用多孔缓冲衬底生长GaN单晶的研究
2．4．1多孔缓冲衬底上GaN成核及生长过程
2．4．2多孔缓冲衬底对GaN单晶晶体质量的影响
2．5本章小结
参考文献
第三章高温退火缓冲衬底的制备及其GaN单晶生长研究
3．1前言
3．2实验部分
3．3高温退火制备缓冲衬底
3．3．1反应温度的影响
3．3．2反应时间的影响
3．4利用高温退火缓冲衬底生长GaN单晶的研究
3．4．1高温退火缓冲衬底对GaN单晶自剥离性质的影响
3．4．2高温退火缓冲衬底对GaN单晶晶体质量的影响
3．4．3高温退火缓冲衬底对GaN单晶残余应力的影响
3．4．4高温退火缓冲衬底对GaN单晶光学质量的影响
3．5本章小结
参考文献
第四章水热腐蚀缓冲衬底的制备及其GaN单晶生长研究
4．1前言
4．2水热腐蚀缓冲衬底制备机理
4．3水热腐蚀缓冲衬底的制备条件探索
4．3．1氧化腐蚀溶液浓度的影响
4．3．2水热反应温度的影响
4．3．3水热反应时间的影响
4．4利用水热腐蚀缓冲衬底生长GaN单晶的研究
4．4．1水热腐蚀缓冲衬底对GaN单晶生长模式的影响
4．4．2水热腐蚀缓冲衬底对GaN单晶晶体质量的影响
4．4．3水热腐蚀缓冲衬底对GaN单晶晶体残余应力的影响
4．4．4利用水热腐蚀缓冲衬底对GaN单晶杂质残留及光学质量的影响
4．5利用水热腐蚀缓冲衬底生长的GaN单晶制备紫外探测器
4．6本章小结
参考文献
第五章2D涂覆层缓冲衬底的制备及其GaN单晶生长研究
5．1引言
5．2 BCN纳米片2D涂覆层缓冲衬底的制备
5．3不同浓度的PVP溶液对于BCN纳米片涂覆的影响
5．4利用2D涂覆层缓冲衬底生长GaN单晶的研究
5．4．1 BCN纳米片溶液浓度对2D涂覆层缓冲衬底表面形貌的影响
5．4．2 2D涂覆层覆盖率对生长GaN单晶晶体质量的影响
5．4．3 2D涂覆层覆盖率对生长GaN单晶残余应力的影响
5．4．4 2D涂覆层覆盖率对生长GaN单晶光学性质的影响
5．5 2D涂覆层缓冲衬底的作用分析
5．5．1 2D涂覆层缓冲衬底对GaN晶体成核的影响
5．5．2 2D涂覆层缓冲衬底对GaN单晶内部应力取向的影响
5．5．3 2D涂覆层缓冲衬底对GaN单晶中位错的影响
5．6本章小结
参考文献
6．1总结
6．2主要创新点
6．3有待深入研究的问题
致谢
攻读博士学位期间发表的论文、专利和奖励
