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GaN单晶的制造方法、GaN薄膜模板衬底及GaN单晶生长装置

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摘要

提供即使利用氢化物气相生长法时也可以准确地控制GaN单晶的膜厚的GaN单晶的制造方法、适于特性良好的GaN厚膜生长的GaN薄膜模板衬底以及GaN单晶生长装置。在通过对在规定的温度下加热熔融的Ga(镓)喷HCl(氯化氢)生成GaCl(氯化镓)，使该GaCl(氯化镓)与氢化物气体的NH

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2013-05-08

发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):C30B29/38 申请公布日:20090826 申请日:20070914

发明专利申请公布后的视为撤回
2009-10-21

实质审查的生效

实质审查的生效
2009-08-26

公开

公开

1. GaN单晶的制造方法、GaN薄膜模板衬底及GaN单晶生长装置 [P] . 中国专利： CN101517134A . 2009-08-26
2. GaN单晶衬底以及GaN单晶衬底的制造方法 [P] . 中国专利： CN101404248A . 2009-04-08
3. PROCESS FOR PRODUCING GAN SINGLE-CRYSTAL, GAN THIN-FILM TEMPLATE SUBSTRATE AND GAN SINGLE-CRYSTAL GROWING APPARATUS [P] . 韩国专利： KR20090053827A . 2009-05-27

机译：制备gan单晶，gan薄膜模板基板和gan单晶生长装置的方法
4. Manufacturing method of GaN thin film template substrate, GaN thin film template substrate and GaN thick film single crystal [P] . 美国专利： US8137460B2 . 2012-03-20

机译： GaN薄膜模板基板的制造方法，GaN薄膜模板基板和GaN厚膜单晶
5. Production method of GaN thin film templet baseplate, GaN thin film templet baseplate, and GaN thick film monocrystal [P] . 日本专利： JPWO2008035632A1 . 2010-01-28

机译： GaN薄膜模板基板的制造方法，GaN薄膜模板基板和GaN厚膜单晶