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Porow.S; 李宏宇;
不详;
氮化镓; 衬底; 单晶; 同质外延层;
机译:蓝宝石上GaN单晶,同质外延层和异质外延层的晶格参数
机译:分子束外延在块状GaN单晶衬底的Ga和N面上生长AlxGa1-xN和Mg掺杂的GaN外延层
机译:GaN单晶和同质外延层的红外研究
机译:独立式GaN衬底上GaN同质外延层的表面形态和衬底偏角
机译:研究4H-碳化硅衬底和同质外延层的生长机理和缺陷来源。
机译:c轴和a轴蓝宝石衬底上GaN外延层的纳米划痕特性
机译:在单晶mgO(001)衬底上生长的FeRh外延层中的衬底诱导应变场
机译:分子束外延生长mg掺杂GaN同质外延层的光学和磁共振研究。
机译:用于制造GaN基外延层的单晶衬底,制造该外延层的方法,包括该GaN基外延层的LED和LD
机译:GaN晶体,GaN晶体衬底,GaN晶体衬底和具有外延层的半导体器件的表面处理方法,以及GaN晶体衬底和具有外延层的半导体器件的制造方法
机译:用于制造基于gan的外延层的单晶衬底,制造该方法的方法,包括基于gan的外延层的LED和LD
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