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李国华; 韩和相; 丁琨; 汪兆平; 段树坤;
半导体超晶格国家重点实验室;
中国科学院半导体研究所;
集成光电子学国家实验室;
氮化镓; 外延生长; 喇曼散射; 尖晶石衬底;
机译:AlN缓冲层对等离子辅助分子束外延生长在Al_2O_3衬底上GaN外延层的结构和光学性能的影响
机译:通过金属有机气相外延生长在不同衬底上生长的GaN外延层中的应变效应
机译:快速热退火对分子束外延生长在GaAs(001)衬底上的立方GaN外延层结构特性的影响
机译:掺氮4H-SiC衬底上同质外延层中应变场的微拉曼散射研究
机译:微金属应用中通过金属有机气相外延生长在6H-SiC(0001)衬底上的GaN和AlGaN的生长,掺杂和表征。
机译:c轴和a轴蓝宝石衬底上GaN外延层的纳米划痕特性
机译:自然图案蓝宝石衬底上GaN基外延层和发光二极管的表征研究
机译:分子束外延生长在Gaas衬底上的(Inas)m(Gaas)n短周期超晶格层的研究
机译:GaN半导体衬底和通过外延生长在GaN半导体衬底上制造的半导体器件
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