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邵凯恒; 夏嵩渊; 张育民; 王建峰; 徐科;
中国科学技术大学纳米技术与纳米仿生学院,合肥230026;
中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,苏州215123;
上海科技大学物质科学与技术学院,上海201210;
苏州纳维科技有限公司,苏州215123;
中国科学院纳米光子材料与器件重点实验室,苏州215123;
氮化镓衬底; 二次生长界面; 界面杂质; 杂质来源; 同质外延; Si聚集;
机译:在不同雾取向的单晶衬底上生长的同质外延N极性GaN的光致发光研究
机译:勘误表:“在低缺陷密度的自支撑GaN衬底上通过金属有机气相外延生长的几乎没有堆叠功能的m面GaN同质外延膜的光学性质[Appl。物理来吧92,091912(2008)]
机译:金属有机气相外延在低缺陷密度独立式GaN衬底上生长的几乎无缺陷的m面GaN同质外延膜的光学特性
机译:通过分子束外延在GaN单晶衬底上生长同质外延GaN层和GaN / AlGaN多量子阱
机译:通过热壁化学气相沉积法生长的同质外延4H-碳化硅(1120)薄膜的界面上的多型稳定性,微观结构演变和杂质
机译:反应性磁控溅射外延在单模激光作用下在SiOx / Si(001)衬底上单晶纤锌矿GaN纳米棒的选择性区域生长
机译:在si衬底上生长的外延Ge上的Gaas浅 - 同质结太阳能电池
机译:GaN单晶衬底,制造GaN单晶衬底的方法,在GaN单晶衬底上形成的发光元件以及制造该GaN单晶衬底的方法
机译:GaN单晶衬底及其使用同质外延的制造方法
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