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重禾;
无;
GaN; 衬底; 同质外延; Ⅲ-Ⅴ族; 半导体化合物;
机译:勘误表:“在低缺陷密度的自支撑GaN衬底上通过金属有机气相外延生长的几乎没有堆叠功能的m面GaN同质外延膜的光学性质[Appl。物理来吧92,091912(2008)]
机译:独立的GaN衬底上的垂直p-n二极管中的金属有机气相外延在同质外延生长过程中由螺丝位错形成的纳米管与反向泄漏电流之间的相关性
机译:通过金属有机气相外延进行的各种处理在GaN衬底上的同质外延
机译:独立式GaN衬底上GaN同质外延层的表面形态和衬底偏角
机译:微金属应用中通过金属有机气相外延生长在6H-SiC(0001)衬底上的GaN和AlGaN的生长,掺杂和表征。
机译:c轴和a轴蓝宝石衬底上GaN外延层的纳米划痕特性
机译:N极衬底上无催化剂GaN线的同质外延生长
机译:在si衬底上生长的外延Ge上的Gaas浅 - 同质结太阳能电池
机译:GaN晶体,GaN晶体衬底,GaN晶体衬底和具有外延层的半导体器件的表面处理方法,以及GaN晶体衬底和具有外延层的半导体器件的制造方法
机译:GaN半导体衬底和通过外延生长在GaN半导体衬底上制造的半导体器件
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