Ⅲ－Ⅴ族

摘要： Ⅲ-Ⅴ族一维半导体纳米线由于具有独特的性能、丰富的科学内涵而被广泛应用于微机电、光电子、光伏电、传感等方面,并在未来纳米结构器件中占有重要的战略地位,近年来引起了人们极大的兴趣和关注.探索Ⅲ-Ⅴ族一维半导体纳米线新的结构调控手段,研究具有重要应用价值的Ⅲ-Ⅴ族一维半导体纳米线的可控生长方法和技术,从而获得可应用于器件和功能实现的高质量Ⅲ-Ⅴ族一维半导体纳米线是目前各研究组的主要目标.基于气-液-固模式的纳米线生长方法具有对纳米线形貌及晶体质量可控的优点,成为当前制备高质量Ⅲ-Ⅴ族一维半导体纳米线的主要生长技术.催化辅助生长是一种有金属催化剂参与的纳米线生长方式,它可以有效降低反应物裂解能量、提高材料成核质量、控制材料生长方向、提高反应效率、稳定材料晶体结构.自催化生长是指在纳米线生长过程中不添加其他物质作为催化剂,而由反应物自身起催化作用的生长.由于自催化生长在反应过程中未引入其他物质,所以生成物纯度较高.Ⅲ-Ⅴ族异质结构半导体纳米线常具有两种半导体各自不能达到的优良光电特性,其又可划分为纵向异质结构和横向异质结构.Ⅲ-Ⅴ族一维半导体纳米线除了可以在与其自身材料相同的基底表面上生长之外,还可在与其材料不同的基底表面上生长,即在异质基底表面生长.异质基底生长在材料兼容、光电集成等方面具有十分广阔的应用前景.本文对基于气-液-固模式的Ⅲ-Ⅴ族一维半导体纳米线的生长进行了综述,并对近些年基于催化辅助和自催化的纵向异质结构、横向异质结构以及异质基底的成长研究现状进行了总结,为推动Ⅲ-Ⅴ族一维半导体纳米线制备技术的发展提供了参考依据.

摘要： 法国微／纳技术研究与开发中心CEA-Leti采用标准CMOSZ艺流程将混合Ⅲ-Ⅴ族激光器与200mm硅晶圆集成。

摘要： 从国内外聚光光伏发电技术的主要研究方向入手,分别介绍了聚光倍率、聚光器、太阳能跟踪方式、冷却与热管理系统4方面的研究现状,展望了太阳能聚光光伏技术的应用前景.

摘要： 欧盟（E．U．）最近启动一项为期三年的“为下一代高性能CMOS SoC技术整合Ⅲ-Ⅴ族纳米半导体”（INSIGHT）研发计划，这项研发经费高达470万美元的计划重点是在标准的互补金属氧化物半导体（CMOS）上整合Ⅲ-Ⅴ族电晶体通道。其最终目的则在于符合未来的5G规格要求，以及瞄准频宽更广、影像解析度更高的雷达系统。

摘要： 比利时微电子研究中心（Imec）和IBM的工程师分别独立开发了全新的制造工艺，用于生产未来10年内领先的芯片。他们在2013年年底披露了这一消息。这些工作将使硅晶片和某些特殊材料进行结合，形成复合半导体，其中含有来自旧版元素周期表Ⅲ-Ⅴ族的元素。这种材料组合可继续维持摩尔定律，即在性能提升的同时，缩小晶体管尺寸。

摘要： 据报道，比利时微电子研究中心（IMEC）宣称开发出全球首款在300mm晶圆上整合Ⅲ—Ⅴ族与矽晶材料的3DFinFET化合物半导体。IMEC的新制程目标是希望能持续微缩CMOS至7nm及其以下，以及实现混合CMOS—RF与CMOS光电元件的化合物。

摘要： 新加坡A＊STAR数据存储研究所的一个研究小组已制造出电动Ⅲ-Ⅴ族半导体激光和装在硅芯片上的新型腔镜——这标志着向光学数据互连迈进了一步。

摘要： 多波段探测能力是应用于导弹防御（MD）探测-追踪的红外（IR）检测系统的一个重要属性，这种已在缔镉汞（MCT）光电器件以及量子阱红外探测（QWIPs）中得到论证的能力，之前在Ⅱ类超晶格系统（T2SLS）（一种考虑满足下一代传感器需要的更为新型的系统）中并未得到开发利用。就像QWIPs，T2SLs由ⅢV族化合物半导体薄层（由分子束外延〈MBE〉生长而成）组成，并有一个由薄层厚度决定的红外间隙。除在薄层厚度方面对MBE控制以及能在兼容生长条件下生成多带隙结构之外，基于T2SL的多波段红外焦平面阵列（FPAs）在频谱控制方面以及像素-像素的一致性方面优于MCT。此外，从本质上讲，T2SLs具有比QWIPs更高的量子效率（QE），在T2SLs中对子带间跃迁的光学选择法则阻止了正常条件下入射光的吸收。在此，我们描述一种以11．4μm和17μm截止波长分别表示的长波和甚长波瓜响应频带的T2SL双波段探测器的第一个结论。P-n-p结构的装置包括波段选择性经过增强的“W”结构的T2SL（WSL）活性区，这归因于WSLs的二维准态密度。为遵循不同的双波段读出结构，通过采用一个掩模组，光电探测器的结果得到了验证，该掩模组被设计出来用于制造单波段光电器件、3-端双波段装置与2-端波段可选择装置。

摘要： 关于Ge和Ⅲ—Ⅴ族化合物在Si上的集成的研究已有几十年。这样做的目的有2个：一是给SiCMOS逻辑电路增加新功能（如：产生及操控光信号），二是为Ⅲ-Ⅴ族薄膜的研制提供较廉价的衬底。近来，Gb和Ⅲ-Ⅴ族材料被用作极大规模集成电路（VLSI）应用中Si高性能数字逻辑晶体管的“继承者”，

摘要： CMOS“享受”了几十年的繁荣，是依靠作为晶体管“本体”的Si这一核心材料以及SiO2栅电介质。近十年来，研发的焦点关注到引入新材料，如SiGe（作为P沟道晶体管的欧姆接触区）和铪基栅电介质以提高器件性能和能量效率。用别的材料作为沟道材料可能使CMOS发生革命性变化，如选用Ge材料，甚至石墨烯。

摘要： 一种芳香族聚酯，作为构成单元，其包含：(A)下述式(a)所表示的重复单元、(B)芳香族二羧酸来源的重复单元、(C)选自芳香族二胺及具有羟基的芳香族胺中的芳香族胺来源的重复单元、和(D)芳香族二醇来源的重复单元；相对于(A)至(D)的重复单元的合计，(A)的重复单元的含有率为10摩尔％以上且小于20摩尔％，(B)的重复单元的含有率超过40摩尔％且为45摩尔％以下，(C)的重复单元和(D)的重复单元的合计含有率超过40摩尔％且为45摩尔％以下，(D)的重复单元的含有率超过0摩尔％且小于15摩尔％。‑O‑Ar1‑CO‑ (a)式中，Ar1表示1,4‑亚苯基、2,6‑亚萘基或4,4’‑亚联苯基；Ar1所表示的基团中的至少一个氢原子任选分别独立地被卤素原子、烷基或芳基取代。

摘要： 本发明提供使氮化铬层面内的三棱锥形状的氮化铬微晶所占的面积比率提高的III族氮化物半导体元件制造用基板的制造方法。该III族氮化物半导体元件制造用基板的制造方法的特征在于，其具备：成膜工序，在生长用基底基板上形成铬层；氮化工序，通过在规定的条件下氮化该铬层，从而形成氮化铬层；晶体层生长工序，在该氮化铬层上外延生长至少一层III族氮化物半导体层，其中，前述铬层通过溅射法以溅射粒子射程区域的成膜速度为

摘要： 本发明提供使氮化铬层面内的三棱锥形状的氮化铬微晶所占的面积比率提高的III族氮化物半导体元件制造用基板的制造方法。该III族氮化物半导体元件制造用基板的制造方法的特征在于，其具备：成膜工序，在生长用基底基板上形成铬层；氮化工序，通过在规定的条件下氮化该铬层，从而形成氮化铬层；晶体层生长工序，在该氮化铬层上外延生长至少一层III族氮化物半导体层，其中，前述铬层通过溅射法以溅射粒子射程区域的成膜速度为

摘要： 公开不仅在生长温度为1050°C下或低于1050°C的AlGaN、GaN或GaInN的情况下，而且在生长温度高并且具有高的Al组成的Al

摘要： 本发明提供一种催化活性的降低得以抑制、能高效地制造芳香族烃的芳香族烃制造用催化剂结构体以及具备该芳香族烃制造用催化剂结构体的芳香族烃制造装置。本发明的芳香族烃制造用催化剂结构体的特征在于，具备：多孔质结构的载体，由沸石型化合物构成；以及至少一种催化剂物质，存在于所述载体内，所述载体具有相互连通的通道，所述催化剂物质为金属微粒，存在于所述载体的至少所述通道。

摘要： 一种芳香族聚酯，作为构成单元，其包含：(A)下述式(a)所表示的重复单元、(B)芳香族二羧酸来源的重复单元、(C)选自芳香族二胺及具有羟基的芳香族胺中的芳香族胺来源的重复单元、和(D)芳香族二醇来源的重复单元；相对于(A)至(D)的重复单元的合计，(A)的重复单元的含有率为10摩尔％以上且小于20摩尔％，(B)的重复单元的含有率超过40摩尔％且为45摩尔％以下，(C)的重复单元和(D)的重复单元的合计含有率超过40摩尔％且为45摩尔％以下，(D)的重复单元的含有率超过0摩尔％且小于15摩尔％。‑O‑Ar1‑CO‑ (a)式中，Ar1表示1,4‑亚苯基、2,6‑亚萘基或4,4’‑亚联苯基；Ar1所表示的基团中的至少一个氢原子任选分别独立地被卤素原子、烷基或芳基取代。

摘要： 本发明提供使氮化铬层面内的三棱锥形状的氮化铬微晶所占的面积比率提高的III族氮化物半导体元件制造用基板的制造方法。该III族氮化物半导体元件制造用基板的制造方法的特征在于，其具备：成膜工序，在生长用基底基板上形成铬层；氮化工序，通过在规定的条件下氮化该铬层，从而形成氮化铬层；晶体层生长工序，在该氮化铬层上外延生长至少一层III族氮化物半导体层，其中，前述铬层通过溅射法以溅射粒子射程区域的成膜速度为

摘要： 本发明提供使氮化铬层面内的三棱锥形状的氮化铬微晶所占的面积比率提高的III族氮化物半导体元件制造用基板的制造方法。该III族氮化物半导体元件制造用基板的制造方法的特征在于，其具备：成膜工序，在生长用基底基板上形成铬层；氮化工序，通过在规定的条件下氮化该铬层，从而形成氮化铬层；晶体层生长工序，在该氮化铬层上外延生长至少一层III族氮化物半导体层，其中，前述铬层通过溅射法以溅射粒子射程区域的成膜速度为

摘要： 公开不仅在生长温度为1050°C下或低于1050°C的AlGaN、GaN或GaInN的情况下，而且在生长温度高并且具有高的Al组成的Al

摘要： 提供第III族氮化物半导体用外延基板、第III族氮化物半导体元件和第III族氮化物半导体用自立基板，其产生不仅用于具有1050°C以下生长温度的材料如AlGaN、GaN和GaInN、而且用于具有高生长温度的高铝Al