用以降低锗NMOS晶体管的掺杂剂扩散的非选择性外延源极/漏极沉积

摘要

公开了集成电路晶体管结构和工艺，其在制作期间抑制诸如磷或砷的n型掺杂剂从锗n‑MOS器件的源极区和漏极区向邻近沟道区内扩散。所述n‑MOS晶体管器件可以根据原子百分比包括至少70％的锗(Ge)。在示例实施例中，晶体管的源极区和漏极区是使用n型掺杂材料的低温非选择性沉积工艺形成的。在一些实施例中，所述低温沉积工艺是在450到600摄氏度的范围内执行的。所得到的结构包括处于源极/漏极区上的一层掺杂单晶硅(Si)或硅锗(SiGe)。所述结构还包括处于浅沟槽隔离(STI)区的表面和接触沟槽侧壁的表面上的一层掺杂非晶Si:P(或SiGe:P)。