机译:嵌入式外延硅锗源极/漏极在晶体管通道中的应变弛豫
机译:带有硅源区和漏区以及嵌入式硅/锗作为应变传递结构的应变n沟道晶体管
机译:注入和退火对嵌入式硅锗源漏晶体管的沟道应变的影响
机译:使用紫外拉曼光谱测量具有嵌入式硅锗源极和漏极的45 nm节点晶体管的沟道应力
机译:硅锗源漏区的PMOSFET沟道中的平行应变分布研究
机译:用于纳米级CMOS集成电路的硅,硅锗和硅碳源极/漏极结的低电阻率接触方法。
机译:源/漏电极对氧化硅锡薄膜晶体管电性能的影响
机译:高性能N沟道多晶锗薄膜晶体管通过连续波激光结晶和绿色纳秒激光退火源和排水掺杂剂活化