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Junction Technology, 2001. IWJT. Extended Abstracts of the Second International Workshop on

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召开地：Tokyo
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1.Characterization of the diode leakage current in advanced 0.12μm CMOS technology. (Does stress play a role?)

机译：先进的0.12时二极管泄漏电流的特性μmCMOS技术。（压力起作用吗？）
- 作者：Toren W.-J.;Perrin E.;Lunenborg M.
- 会议名称：《Junction Technology, 2001. IWJT. Extended Abstracts of the Second International Workshop on》
2.Ultra-shallow junction formed using laser annealing for sub-50 nmMOS devices

机译：使用低于50 nm的激光退火形成超浅结MOS器件
- 作者：Oh H.;Choi H.;Bea J.;Hirosue T.;Sim J.;Kurino H.;Koyanagi M.
- 会议名称：《Junction Technology, 2001. IWJT. Extended Abstracts of the Second International Workshop on》
3.Ultra-shallow source/drain junctions for nanoscale CMOS usingselective silicon-germanium technology

机译：使用以下器件的纳米级CMOS超浅源极/漏极结选择性硅锗技术
- 作者：Ozturk M.C.;Pesovic N.;Kang I.;Liu J.;Mo H.;Gannavaram S.
- 会议名称：《Junction Technology, 2001. IWJT. Extended Abstracts of the Second International Workshop on》
4.Plasma immersion ion implantation as an alternative dopingtechnology for ULSI

机译：等离子体浸没离子注入作为替代掺杂ULSI技术
- 作者：Kilho Lee
- 会议名称：《Junction Technology, 2001. IWJT. Extended Abstracts of the Second International Workshop on》
5.Integration of ultra-shallow junctions in sub-0.1 μm CMOStransistors : what kind of process for a 'safe' advancedtechnology?

机译：小于0.1μmCMOS的超浅结集成晶体管：什么样的过程才是“安全”的技术？
- 作者：Lenoble D.;Halimaoui A.;Kermarrec O.;Campidelli Y.;Bensahel D.;Bonnouvrier J.;Menut O.;Robilliart E.;Perrin E.;Arnaud F.;Boeuf F.;Skotnicki T.;Grouillet A.;Bignell G.
- 会议名称：《Junction Technology, 2001. IWJT. Extended Abstracts of the Second International Workshop on》
6.Excimer-laser activation of dopants in silicon: a new concept for auniform treatment over a whole die area

机译：硅中掺杂物的准分子激光激活：一种新的概念在整个模具区域内进行均匀处理
- 作者：Laviron C.;Semeria M.N.;Zahorski D.;Stehle M.;Hernandez M.;Boulmer J.;Debarre D.;Kerrien G.
- 会议名称：《Junction Technology, 2001. IWJT. Extended Abstracts of the Second International Workshop on》
7.Reduction of threshold voltage fluctuation of p-MOSFETs by antimonysuper steep retrograde well channel

机译：用锑减少p-MOSFET的阈值电压波动超陡逆行井道
- 作者：Kawakami N.;Egusa K.;Shibahara K.
- 会议名称：《Junction Technology, 2001. IWJT. Extended Abstracts of the Second International Workshop on》
8.Stencil mask ion implantation technology for sub 100 nm technologynode

机译：低于100 nm技术的模板掩模离子注入技术节点
- 作者：Shibata T.;Suguro K.;Sugihara K.;Nishihashi T.
- 会议名称：《Junction Technology, 2001. IWJT. Extended Abstracts of the Second International Workshop on》
9.Combination of germanium preamorphization and sub-keV boronimplantation for source/drain extension of pMOSFETs

机译：锗预非晶化和亚KeV硼的组合注入用于pMOSFET的源极/漏极扩展
- 作者：Adachi K.;Ohuchi K.;Toyoshima Y.
- 会议名称：《Junction Technology, 2001. IWJT. Extended Abstracts of the Second International Workshop on》
10.Surface concentration of primary ion species and its effect todepth profiling in SIMS analyses

机译：一次离子种类的表面浓度及其对SIMS分析中的深度剖析
- 作者：Yoshikawa S.;Tsukamoto K.
- 会议名称：《Junction Technology, 2001. IWJT. Extended Abstracts of the Second International Workshop on》
11.Coherent phonon excitation as nonequilibrium dopant activationprocess for ultra-shallow junction formation

机译：相干声子激发作为非平衡掺杂剂的活化浅结形成过程
- 作者：Setsuhara Y.;Mizuno B.;Takase M.;Hashida M.;Fuita M.;Adachi S.
- 会议名称：《Junction Technology, 2001. IWJT. Extended Abstracts of the Second International Workshop on》
12.Improvement of dosimetry monitoring by Therma-Wave signal in indiumimplantation

机译：通过铟中的热波信号改进剂量学监测植入
- 作者：Sano M.;Harada M.;Kabasawa M.;Sato F.;Sugitani M.
- 会议名称：《Junction Technology, 2001. IWJT. Extended Abstracts of the Second International Workshop on》
13.Scanning microscopy of higher harmonic capacitance response for Sidevice

机译：硅的高次谐波电容响应的扫描显微镜设备
- 作者：Naitou Y.;Ookubo N.
- 会议名称：《Junction Technology, 2001. IWJT. Extended Abstracts of the Second International Workshop on》
14.Raised source/drains with disposable spacers for sub 100 nm CMOStechnologies

机译：带有用于100 nm以下CMOS的一次性间隔物的升高的源极/漏极技术
- 作者：De Meyer K.;Kubicek S.;van Meer H.
- 会议名称：《Junction Technology, 2001. IWJT. Extended Abstracts of the Second International Workshop on》