用于减少浅沟槽隔离中的锥体形成的选择性蚀刻

摘要

为了制造在浅沟槽形成期间减少或最小化沟槽锥体的数量的浅沟槽隔离结构，单独的蚀刻步骤蚀刻特征尺寸小的浅沟槽和特征尺寸大的浅沟槽。例如，利用第一蚀刻参数在衬底的第一区域中蚀刻第一浅沟槽(316)，并且利用不同于所述第一蚀刻参数的第二蚀刻参数在衬底的第二区域中蚀刻第二浅沟槽(326)。所述蚀刻参数可以包含硅与有助于锥体形成的蚀刻延缓剂的蚀刻选择性比率。由于所述单独的蚀刻步骤(316，326)，所述第一浅沟槽与所述第二浅沟槽之间的侧壁斜率偏差可以处于几度内。