基座、外延生长装置、外延硅晶片的制造方法及外延硅晶片

摘要

提供一种能够提高外延硅晶片的外延层的平坦度的周向均匀性的基座。本发明的基座（100）设有载置硅晶片（W）的凹形状的锪孔部；基座的中心与锪孔部的开口缘之间的径向距离L以90度周期在周向上变动，并且当将径向距离L成为最小的位置的角度设为0度时，在90度、180度、270度的各处，径向距离L成为最小值L1，并且在45度、135度、225度、315度的各处，径向距离L成为最大值L2，将基座（100）俯视时的开口缘（110C）描绘使径向外侧为凸的4个椭圆弧。