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三菱硅材料株式会社; 日本东京; 外延生长; 供给方法; 装置; 金属表面处理; 气化器; 专利;
机译:在stabilizative类型的燃烧器装置与气体供给混合的方法的计算机模拟
机译:GaInP层和GaInP / AlGaInP量子阱通过分子束外延生长而产生的光致发光,其中分子束外延具有不同的生长温度,磷气体压力和衬底取向
机译:通过HCl升压卤化物气相外延的α-Ga_2O_3的快速生长及前体供给条件对晶体性能的影响
机译:LPCVD方法用交替气体供应生长的3C-SiC外延膜的顺磁缺损分布
机译:气体源分子束外延生长的应变平衡量子级联激光器(3-11μm)的建模,设计,生长和表征。
机译:金属有机化学气相沉积生长基于ZnGa2O4外延层的NO气体传感器
机译:使用非分散红外气体测量装置(NDIR)空气监测方法,2019使用非分散红外气体测量装置测定工作场空气中一氧化碳的方法
机译:aLE(原子层外延)和mBE(分子束外延)方法在层状Hg(1-x)Cd(x)Te薄膜生长中的应用
机译:气体导入装置,外延生长装置及外延生长方法
机译:供给用于外延生长的气体的方法和设备
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