硅外延生长温度和气体流量控制的优化设计

目录

声明

第一章 绪论

1.1 论文的研究背景与目的

1.2 国内外现状

1.3 本文的组织架构

1.4 本文设计指标

第二章 硅外延工艺基础和应用

2.1 概述

2.2 外延生长基本原理分析

2.2.1 硅外延生长

2.2.2 硅外延反应原理

2.3 硅外延系统设备

2.3.1 设备结构

2.3.2 主要分类

2.4 外延层重要参数的测量

2.4.1外延层厚度的测量

2.4.2 外延层电阻率的测量

2.4.3外延层杂质分布的测量

2.5 本章小结

第三章 改善温度均匀性的优化设计

3.1 概述

3.2 影响因素分析及改善设计

3.2.1 衬底自掺杂的影响和改善设计

3.2.2 生长速率的影响和改善设计

3.2.3 温度的影响和改善设计

3.3本章小结

第四章 改善气体流量控制的优化设计

4.1 概述

4.2 影响因素分析

4.3 改善方案

4.4 本章小结

第五章 验证和结果分析

5.1 概述

5.2 重复验证及改进

5.2批次验证

5.3环境验证

5.4 本章小结

第六章 总结和展望

6.1 总结

6.2 展望

致谢

参考文献