MOCVD外延生长原位光致发光谱测量方法

摘要

为了实现MOCVD外延生长过程中的PL谱原位测量。利用经过特殊改造的M680红外测温石英光学探针、分支石英光纤、半导体激光器、光谱仪、OD值为6的单波陷波滤光片,在THOMAS SWAN CCS型MOCVD反应室上实现了Si(111)衬底Ga N基In Ga N/Ga N MQW外延生长过程原位PL谱测量。研究结果表明:该原位PL谱测量系统,能够实现激发光的导入、PL谱信号的收集、反射激光及杂散光的过滤;当温度降低至600℃以下时,MOCVD反应室内红外辐射对PL测量的影响可以忽略;该原位PL谱测量方法可推广至Al2O3衬底外延生长。该研究可为MOCVD原位PL谱测量设备开发提供参考。