机译:光致发光温度和生长参数对MOCVD法生长的BXGa1-XAs / GaAs外延层中激子的影响
Univ Monastir Fac Sci Monastir Lab Microoptoelect & Nanostruct Ave Environm Monastir 5000 Tunisia;
Univ Lyon 1 Lab Multimat & Interfaces 143 Blvd 11 Novembre 1918 F-69622 Villeurbanne France;
Photoluminescence; HRXRD; AFM; BGaAs/GaAs; LSE; V/III ratio;
机译:光致发光温度和生长参数对MOCVD法生长的BXGa1-XAs / GaAs外延层中激子的影响
机译:B含量对MOCVD生长的BGaAs / GaAs外延层光学性能的局部状态激子模型研究
机译:热壁外延生长的CdS / GaAs外延层的拉曼散射和温度依赖性光致发光特性
机译:通过LP-MOCVD在(001)GaAs上生长BxGa1-xAs,BxAl1-xAs和BxGa1-x-yInyAs外延层
机译:MOCVD生长的GaAs / AlGaAs核壳纳米线的光致发光和共振拉曼光谱。
机译:InGaAs / InP核壳纳米线的自种MOCVD生长和显着增强的光致发光
机译:通过使用MBE在GaAs基材上生长的基于SB的癫痫发光的Swir-LWIR光致发光
机译:LpE和mOCVD技术生长Gaas和al(x)Ga(1-x)as外延薄膜生长参数的研究