一种采用卤化物气相外延法生长氧化镓外延层的方法

摘要

本发明提供了一种采用卤化物气相外延法生长氧化镓外延层的方法，本方法利用蓝宝石、GaN和β‑Ga2O3单晶三种晶片作为衬底，采用卤化物气相外延法外延生长Ga2O3外延层，通过控制生长区的温度和生长压力，以及调控VI/III比例，实现α‑Ga2O3和β‑Ga2O3两种晶型外延层的制备。通过本方法获得的外延层生长速度达到5‑10 um/h，同质外延层的XRD半峰宽≤100arcsec。采用本发明所提出的方案，能够实现较快生长速度下厚外延层的制备，有效地促进Ga2O3材料的外延生长研究，为后续Ga2O3基器件制作及其性能改善提供新的思路。