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黄海泉;
南京航空航天大学;
机译:使用水平热壁化学气相沉积法在直径为150毫米的晶片上生长碳化硅外延层
机译:热壁化学气相沉积法生长的碳化硅外延层中预测的氮掺杂浓度
机译:碳化硅激光化学气相沉积激光化学气相沉积的数值模拟
机译:在较高生长温度下通过化学气相沉积生长的4H-SiC外延层在较高的4H-SiC外延层中的掺入
机译:在6H-碳化硅和15R-碳化硅衬底上生长的砷化硼外延层的缺陷结构和生长机理。
机译:通过金属有机化学气相沉积在氮化蓝宝石上生长的高质量AlN外延层
机译:使用甲基三氯硅烷化学气相沉积在轴上碳化硅衬底上外延生长碳化硅
机译:有机金属化学气相沉积生长外延层界面突变的反应器设计分析
机译:通过化学气相沉积在单晶碳化硅衬底上制备碳化硅外延层的方法
机译:用于在处理的碳化硅表面上处理用于外延层生长的碳化硅衬底的表面的方法,包括在表面上施加包含氟化钙颗粒和/或氧化剂的抛光浆料。
机译:SiC法通过化学气相沉积和均匀制备的碳化硅复合材料均匀生长SiC纳米线制备高密度碳化硅复合材料
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