金属有机物化学气相沉积GaAs/Si外延层中1.13eV发光带特性研究

赵家龙; 高瑛; 刘学彦; 窦恺; 黄世华; 虞家琪; 梁家昌; 高鸿楷

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用不同温度和激发强度下的近红外光致发光研究了金属有机物化学气相沉积方法在Si衬底上生长的GaAs外延层中的1.13eV发光带的发光特性,表明此发光带为施主-受主对复合发光.根据1.13eV发光带的峰值能量和发光强度随温度和激发强度的变化关系,确定施主和受主的束缚能分别为5和295meV,并证实GaAs/Si外延层中的1.13eV发光为硅施主-镓空位受主对的复合发光.

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来源
《红外与毫米波学报》|1995年第4期|271-276|共6页
作者
赵家龙; 高瑛; 刘学彦; 窦恺; 黄世华; 虞家琪; 梁家昌; 高鸿楷;
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作者单位

中国科学院长春物理研究所,激发态物理开放实验室,吉林,长春,130021;

中国科学院长春物理研究所,激发态物理开放实验室,吉林,长春,130021;

中国科学院长春物理研究所,激发态物理开放实验室,吉林,长春,130021;

中国科学院长春物理研究所,激发态物理开放实验室,吉林,长春,130021;

中国科学院长春物理研究所,激发态物理开放实验室,吉林,长春,130021;

中国科学院长春物理研究所,激发态物理开放实验室,吉林,长春,130021;

中国民用航空学院,天津,300300;

中国科学院西安光机所,陕西,西安,710068;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类光电子技术、激光技术;
关键词
近红外; 光致发光; 深能级; GaAs/Si;
入库时间 2023-07-25 20:02:37

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