首页> 中文会议>第十四届全国固体薄膜学术会议 >采用晶格异变缓冲层在GaAs上生长的InP外延层性质的研究

采用晶格异变缓冲层在GaAs上生长的InP外延层性质的研究

页面导航

摘要
著录项
相似文献
相关主题

摘要

采用低压金属有机物化学气相沉积(LPMOCVD)在不同偏角GaAs衬底上通过AlxGa1-x-yInyAs晶格异变缓冲层生长了InP外延层.并用高分辨X射线衍射仪(XRD),原子力显微镜(AFM)以及光致发光(PL)对材料的结晶质量、表面形貌和光学性质进行了表征.结果表明,在15度偏角衬底上采用组分步进的AlxGa1-x-yInyAs缓冲层生长的InP外延层表面形貌更好且发光更强.

著录项

来源
《第十四届全国固体薄膜学术会议》|2014年|154-159|共6页
会议地点贵阳
作者
何洋; 孙玉润; 李奎龙; 曾徐路; 董建荣;
展开▼
作者单位

中国电子学会;

中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所;

展开▼
会议组织
正文语种
原文格式 PDF
中图分类 TN304.21:TN304.054.4;
关键词
砷化镓衬底; 磷化铟外延层; 晶格异变缓冲层; 结晶质量; 表面形貌; 光学性质;

相似文献

中文文献
外文文献
专利

1. InP衬底上InAlAs异变缓冲层和高铟组分InGaAs的生长温度优化 [J] . 张见 ,陈星佑 ,顾溢 . 红外与毫米波学报 . 2018,第006期
2. InP低温缓冲层的表面形貌及对其外延层生长的影响(英文) [J] . 熊德平 ,任爱光 ,王琦 . 功能材料与器件学报 . 2007,第1期
3. 透射式GaAs光电阴极AlGaAs/GaAs外延层在热应力作用下晶格弯曲的倒易点二维图研究 [J] . 李晓峰 ,张景文 ,高鸿楷 . 光子学报 . 2002,第2期
4. GaAs(001)衬底上经双缓冲层生长的Hg1-xCdxTe-HgTe超晶格结构 [J] . 刘义族 ,于福聚 . 天津师范大学学报（自然科学版） . 2001,第003期
5. 重掺InP生长的InGaAs外延层迁移率的测量 [J] . 付雪涛 ,刘筠 ,张旭 . 激光与红外 . 2016,第007期
6. 锗岛缓冲层上锗硅外延层生长高分辨电镜（HRTEM）研究* [C] . . 第六届全国固体薄膜学术会议 . 1998
7. 采用Si1-xGex渐变缓冲层技术生长硅基锗薄膜及其性质分析 [A] . 张航 . 2019

采用晶格异变缓冲层在GaAs上生长的InP外延层性质的研究

摘要

著录项

相似文献

相关主题

期刊订阅