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International Conference on Indium Phosphide and Related Materials
International Conference on Indium Phosphide and Related Materials
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1.
MOVPE growth of InGaAs on InP using tertiarybutylarsine
机译:
使用叔丁烷的INGAAS的MOVPE生长
作者:
Abdalla M.I.
;
Kenneson D.G.
;
Powazinik W.
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1990年
关键词:
composition uniformity;
III-V semi;
gallium arsenide;
carrier mobility;
InP;
InP substrates;
InGaAs;
carrier concentration;
n-type;
low-pressure metalorganic vapor phase epitaxy;
tertiarybutylarsine;
MOVPE growth;
photoluminescence;
carrier mobility;
2.
Evaluation of lattice mismatched InGaAs layers and photodiode arrays by scanning photoluminescence
机译:
通过扫描光致发光评估晶格不匹配的InGaAs层和光电二极管阵列
作者:
Krawczyk S.K.
;
Schohe K.
;
Klingelhofer C.
;
Vilotitch B.
;
Lenoble C.
;
Villard M.
;
Hugon X.
;
Regaud D.
;
Ducroquet F.
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1990年
关键词:
lattice mismatched layers;
defect c;
reverse current;
long-range nonuniformities;
isolated dislocations;
p-i-n photodiodes;
electrical characteristics;
scanning photoluminescence;
photodiode arrays;
short-range nonuniformities;
mismatch dislocations;
3.
InP substrate etched with methane reactive ion etching technique: surface characterization and epitaxial growth
机译:
用甲烷反应离子蚀刻技术蚀刻InP衬底:表面表征和外延生长
作者:
Henry L.
;
Le Corre A.
;
Lecrosnier D.
;
Gauneau M.
;
Vaudry C.
;
Alnot P.
;
Olivier J.
;
Krawczyk S.K.
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1990年
关键词:
annealing;
secondary ion mas;
photoluminescence;
angle-resolved X-ray photoelectron spectroscopy;
surface damage;
gas-source molecular beam epitaxy;
epitaxial layers;
growth conditions;
surface defects;
epitaxial growth;
methane reactive ion etching;
4.
Controlled growth of GaInAs/InP MQW and GaInAsP/GaInAs separate confinement MQW laser structures by LP-MOVPE
机译:
通过LP-MOVPE控制GAINAS / INP MQW和GAINASP / GAINAS的增长单独限制MQW激光结构
作者:
Grutzmacher D.
;
Hergeth J.
;
Glade M.
;
Wolter K.
;
Reinhardt F.
;
Fidorra F.
;
Wolfram P.
;
Balk P.
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1990年
关键词:
MQW lasers;
GaInAs;
GaInAs-InP;
heavy hole injection;
diffusion coefficient;
well width;
optimized growth;
interface abruptness;
low-pressure MOVPE growth;
separate confinement MQW laser structures;
threshold current density;
p-type dopant diffusion;
5.
Progress in the ITO/InP solar cell
机译:
ITO / INP太阳能电池的进展
作者:
Gessert T.A.
;
Li X.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1990年
6.
A novel high-speed broad wavelength InAlAs/InGaAs Schottky barrier photodiode for 0.4 to 1.6 mu m detection
机译:
一种新型高速宽波长Inalas / InGaAs肖特基屏障光电二极管0.4至1.6μm检测
作者:
Hwang K.C.
;
Li S.S.
;
Kao Y.C.
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1990年
关键词:
MBE;
Au-In/sub 0.52/Al/sub 0.48/As-In/sub 0.53/Ga/sub 0.4;
InP substrate;
0.1 pF;
1.2 nA;
0.4 to 1.6 micron;
junction capacitance;
reverse leakage current;
dark I-V characteristics;
spectral response;
graded superlattice;
Schottky barrier photodiode;
7.
Heavy-hole effective mass in InP-a critical examination
机译:
INP中重孔有效质量 - 批判性检查
作者:
Osinski M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1990年
8.
Highest current gain cutoff frequency with 0.08 mu m gate HEMT on InP
机译:
最高电流增益截止频率,在INP上具有0.08 mu m门HEMT
作者:
Riaziat M.
;
Nishimoto C.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1990年
9.
Stable, reliable contacts to W-band Gunn diodes
机译:
稳定,可靠的触点到W波段Gunn二极管
作者:
OKeefe M.F.J.
;
Miles R.E.
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1990年
关键词:
anode metallization;
accelerated temperatu;
Au migration;
current limiting contacts;
cathode metallizations;
contact constituents;
W-band Gunn diodes;
contact reliability;
RF testing;
DC testing;
integral heat sink;
contact stability;
ohmic contacts;
10.
Selective liquid phase epitaxial growth of InP on silicon
机译:
硅上INP的选择性液相外延生长
作者:
Collins S.R.
;
Barnett A.M.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1990年
11.
p-type doped channel FETs using strained and lattice matched InAlAs/InGaAs heterostructures
机译:
P型掺杂通道FET使用应变和格子匹配的Inalas / Ingaas异质结构
作者:
Chan Y.J.
;
Pavlidis D.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1990年
12.
High quality lattice-mismatched In/sub 0.82/Ga/sub 0.18/As layer grown on InP substrate
机译:
/亚0.82 / ga / sub 0.18 /作为在INP衬底上生长的高品质晶格 - 不匹配
作者:
Durel S.
;
Caulet J.
;
Gauneau M.
;
Lambert B.
;
Le Corre A.
;
Poudoulec A.
;
Lecrosnier D.
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1990年
关键词:
MBE system;
InP substrate;
lattice mismatched In/sub 0.82/Ga/sub 0.18/As layer;
300 K;
77 K;
dislocation density;
Hall mobility;
graded buffer layer;
photoluminescence;
X-ray diffraction;
transmission electron microscopy;
Hall effect;
semiconductor;
13.
InP-based nonlinearly-optimized transconductance field-effect transistor (NOTFET)
机译:
基于INP的非线性优化的跨导场效应晶体管(NotFET)
作者:
MajidiAhy R.
;
Bandy S.
;
Ching L.Y.
;
Glenn M.
;
Nishimoto C.
;
Silverman S.
;
Weng S.L.
;
Zdasiuk G.
;
Tan Z.
;
Riaziat M.
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1990年
关键词:
InP substr;
InGaAs-InAlAs-InP;
millimeter-wave frequencies;
microwave harmonic generation;
NOTFET;
first-order theory;
nonlinear circuit function;
strong transconductance nonlinearities;
14.
In-situ rapid isothermal processing (RIP) of InP based devices
机译:
基于INP的设备的原位快速等温处理(RIP)
作者:
Singh R.
;
Thakur R.P.S.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1990年
15.
Anodic dissolution of InP
机译:
INP的阳极溶解
作者:
Faur M.
;
Faur M.
;
Goradia M.
;
Bailey S.
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1990年
关键词:
heavily doped surface layer thinning;
electrical characterist;
scanning electron microscope inspection;
I-V characteristics;
anodic dissolution;
electrolytic solution;
electrochemical C-V characteristics;
p/sup +/-n structures;
n/sup +/-p structures;
16.
High gain InP/InGaAs phototransistor/LED optical amplifier
机译:
高增益INP / INGAAS光电晶体管/ LED光放大器
作者:
Feld S.A.
;
Beyette F.R. Jr.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1990年
17.
Remote plasma etching of InP in Cl/sub 2/ and HCl
机译:
在Cl / sub 2 /和HCl中的INP的远程等离子体蚀刻
作者:
Lishan D.G.
;
Hu E.L.
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1990年
关键词:
remote plasma etching;
sputter etching;
indium compounds;
III-V semiconductors;
Cl/sub 2/;
GaAs;
InP;
HCl;
100 to 250 degC;
etch rate;
ion enhanced systems;
dry etching;
etch profile;
18.
High transconductance InGaAs FETs using an undoped amorphous silicon Schottky barrier enhancement layer
机译:
使用未掺杂的无定形硅肖特基屏障增强层的高跨导英制FET
作者:
Bland S.W.
;
Galashan A.F.
;
Kitching S.A.
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1990年
关键词:
high transconductance FET;
Pt-Si:H-In/sub 0.53/Ga/sub 0.;
5 nA;
-3.5 V;
249 mS;
218 mS;
threshold voltage;
peak transconductance;
MESFET;
leakage current;
early soft breakdown;
reverse characteristic;
PECVD;
MOCVD;
Schottky barrier enhancement layer;
19.
Performance characteristics of buried facet optical amplifiers
机译:
埋设方位光放大器的性能特征
作者:
Lin M.S.
;
Piccirilli A.B.
;
Dutta N.K.
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1990年
关键词:
chip gain;
InGaAsP-InP;
25 dB;
fabrication process;
antireflection coatings;
amplified spontaneous emission spectrum;
TM polarized light;
gain difference;
gain ripple;
performance characteristics;
buried facet optical amplifiers;
TE polarized light;
20.
Horizontal gradient-freeze growth of InP crystals under controlled pressure
机译:
水平梯度 - 在受控压力下的INP晶体的冻结生长
作者:
Iseler G.W.
;
Clark H.R.
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1990年
关键词:
horizontal gradient freeze growth;
twinni;
impurity contamination;
defect density;
optimum melt composition;
liquid-encapsulated Czochralski;
thermal stability;
in situ crystal growth;
sealed pressure-balanced system;
controlled pressure;
LEC growth;
21.
Magnetically stabilized Kyropoulos and Czochralski growth of InP
机译:
磁稳定的kyropoulos和克罗尔斯基的Inp的生长
作者:
Bachowski S.
;
Bliss D.F.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1990年
22.
Heteroepitaxially grown InP solar cells
机译:
异轴生长的INP太阳能电池
作者:
Weinberg I.
;
Swartz C.K.
;
Brinker D.J.
;
Wilt D.M.
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1990年
关键词:
proton irradiation;
GaAs substrates;
InP solar cells;
10 MeV;
cell efficiencies;
heteroepitaxial cells;
radiation resistance;
defect generation;
carrier removal rate;
dislocations;
preirradiation transport properties;
intermediate GaAs layer;
OMCVD;
23.
Narrow linewidth and wavelength tunable distributed feedback lasers
机译:
窄线宽和波长可调分布式反馈激光器
作者:
Kotaki Y.
;
Ishikawa H.
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1990年
关键词:
multiple quantum well DFB laser;
current injection;
spatial hole burning;
quantum-well active layer;
Bragg wavelength detuning;
phase-shifted grating;
wavelength tunable distributed feedback lasers;
narrow linewidth laser;
distributed feedback laser;
24.
OMVPE of InP-based structures for photonic devices
机译:
基于INP的光子器件结构OMVPE
作者:
Carey K.W.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1990年
25.
Optimization of extremely highly p-doped In/sub 0.53/Ga/sub 0.47/As:Be contact layers grown by MBE
机译:
优化/亚/分0.53 / GA / sub 0.47 / AS:由MBE种植的接触层
作者:
Passenberg W.
;
Harde P.
;
Kunzel H.
;
Trommer D.
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1990年
关键词:
hole concentration;
transit frequenc;
doping densities;
doping profiles;
specific resistances;
growth temperature;
Be diffusion coefficients;
molecular beam epitaxy;
JFET devices;
MBE;
semiconductor;
p-doped contact layer;
contact layer optimisation;
26.
High performance long wavelength strained layer InGaAs/InP quantum well lasers
机译:
高性能长波长应变层IngaAs / InP量子孔孔
作者:
Tanbun-Ek T.
;
Logan R.A.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1990年
27.
Application of V-groove technology to InP solar cells
机译:
V沟技术在INP太阳能电池中的应用
作者:
Bailey S.
;
Fatemi N.
;
Landis G.A.
;
Brinker D.
;
Faur M.
;
Faur M.
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1990年
关键词:
reflectivity;
InP:Zn,S sub;
InP solar cells;
400 to 950 nm;
quantum efficiency;
open-circuit voltage;
short-circuit current;
reflectance;
wet-chemical anisotropic etch;
closed-ampoule thermal diffusion;
V-grooved front surface;
wavelength dependence;
28.
Analysis of InP/InGaAs double heterostructure bipolar transistors for high frequency applications
机译:
用于高频应用的INP / INGAAS双异质结构双极晶体管分析
作者:
Meyyappan M.
;
Andrews G.
;
Morrison B.J.
;
Kreskovsky J.P.
;
Grubin J.P.
;
Grubin H.L.
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1990年
关键词:
maximum frequency of oscillation;
high collector cur;
conduction band spike;
compositional grading;
doping;
transient solutions;
two-dimensional simulation;
high frequency applications;
double heterostructure bipolar transistors;
threshold frequency;
29.
High frequency transistors on MOCVD grown InGaAs/InP
机译:
MOCVD上的高频晶体管indaas / Inp
作者:
Johnson G.A.
;
Kapoor V.J.
;
Messick L.J.
;
Nguyen R.
;
Stall R.A.
;
McKee M.
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1990年
关键词:
plasma deposition;
gallium;
Si-SiO/sub 2/ gate insulator;
InGaAs-InP;
38 percent;
4.3 dB;
9.7 GHz;
1 micron;
drain bias current increase;
output power stability;
power-added efficiency;
power gain;
output power density;
gate lengths;
MISFETs;
MOCVD;
30.
Characterization of an aging effect in high purity indium phosphide
机译:
高纯度磷化铟中老化效应的表征
作者:
Lee B.
;
Sengupta D.K.
;
Miller W.R.
;
Stockman S.A.
;
Szafranek I.
;
McCollum M.J.
;
Stillman G.E.
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1990年
关键词:
annealing;
1;
320 C;
125 C;
deep level;
Si donor binding energy;
defect centers;
Si shallow donor concentration;
aging effect;
photothermal ionization spectroscopy;
photoluminescence;
variable-temperature Hall effect measurements;
semiconductor;
VPE;
31.
High frequency transistors on MOCVD grown InGaAs/InP
机译:
MOCVD上的高频晶体管indaas / Inp
作者:
Johnson G.A.
;
Kapoor V.J.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1990年
32.
Growth of large diameter InP single crystals by the phosphorus vapor controlled LEC method
机译:
通过磷蒸气控制LEC法生长大直径InP单晶
作者:
Kohiro K.
;
Kainosho K.
;
Shimakura H.
;
Fukui T.
;
Oda O.
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1990年
关键词:
LEC growth;
dislocati;
crystal growth from melt;
InP:Fe;
InP:S;
P vapour controlled growth;
large diameter InP single crystals;
3 in;
60 mm;
dislocation density;
dislocation free area;
crystal growth;
mechanical seal;
liquid-encapsulated-Czochralski;
33.
Improved thermal processing of MOS diodes on n-InP
机译:
改进了N-InP上MOS二极管的热处理
作者:
Shi Z.Q.
;
Lee Y.S.
;
Anderson W.A.
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1990年
关键词:
I-V characteristics;
t;
deep-level transient spectroscopy;
surface properties;
ohmic contact;
rapid thermal annealing;
proximity cap protection;
thin thermal oxide;
barrier height;
surface passivation;
MOS diodes;
thermal processing;
Schottky diodes;
34.
Nondestructive thickness mapping of epitaxial InGaAsP/InP layers
机译:
外延IngaAsp / InP层的无损厚度映射
作者:
Sartorius B.
;
Brandstattner M.
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1990年
关键词:
buried layers;
indium compounds;
III-V semiconductors;
gallium compounds;
gallium arsenide;
epitaxial InGaAsP-InP layers;
heterostructures;
two-wavelength arrangement;
optical absorption measurements;
nondestructive thickness mapping;
semiconductor;
35.
Fundamental limitations of InP MISFET due to Gunn oscillations
机译:
因枪振荡而导致的INP MISFET的基本限制
作者:
Mouatakif I.
;
Lefebvre M.
;
Crosnier Y.
;
Salmer G.
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1990年
关键词:
2D hydrodynamic energy model;
nonuni;
power amplification;
planar uniformly doped structure;
gate control;
maximum usable doping level;
drain current instability;
instabilities;
bulk negative differential resistivity;
Gunn oscillations;
power MISFET;
36.
Low temperature epitaxial growth of indium phosphide
机译:
磷化铟的低温外延生长
作者:
Chen W.K.
;
Yang S.L.
;
Liu P.-L.
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1990年
关键词:
low temperature epitaxial growth;
InP;
330 degC;
electron mobility;
surface reaction;
highly reactive alkyl;
growth temperature;
growth rate;
MOCVD;
metalorganic chemical vapor deposition;
thermal precracking technique;
flow-rate modulation epitaxy;
37.
Influence of buffer layer material on InGaAs FET optimisation
机译:
缓冲层材料对InGaAs FET优化的影响
作者:
Newson D.J.
;
Merrett R.P.
;
Lee M.
;
Scott E.G.
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1990年
关键词:
microwave characterization;
bias condi;
trap density;
test structures;
trapping;
gate leakage currents;
gate insulator;
optical receiver applications;
HIGFETs;
delta-doped heterostructure-insulated-gate FETs;
noise performance;
buffer layer material;
38.
A study of insulated and passivated gate technology for InP FETs
机译:
INP FET绝缘和钝化栅极技术研究
作者:
Lee W.
;
Iliadis A.A.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1990年
39.
Electronic properties of InAs surface quantum wells grown on InP
机译:
INAS表面量子孔的电子特性在INP上生长
作者:
Viktorovitch P.
;
Gallet D.
;
Gendry M.
;
Hollinger G.
;
Schohe K.
;
Benyattou T.
;
Tabata A.
;
Regaud D.
;
Guillot G.
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1990年
关键词:
semiconductor quantum well;
reflected high energy electron d;
XPD;
X-ray photoelectron diffraction;
XPS;
X-ray photoelectron spectroscopy;
electronic properties;
carrier confinement;
VSW surface analysis chamber;
MBE reactor;
structural properties;
40.
The effect of surface roughness on the performance of InP MOSFETs
机译:
表面粗糙度对INP MOSFET性能的影响
作者:
Sri O.
;
Owens R.E.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1990年
41.
Very high sensitivity optical modulators based on band filling effect in GaInAs quantum wells
机译:
基于Gainas量子阱的带灌装效果的非常高的灵敏度光调制器
作者:
Chang T.Y.
;
Zucker J.E.
;
Jones K.L.
;
Sauer N.J.
;
Tell B.
;
Wegener M.
;
Chemla D.S.
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1990年
关键词:
high sensitivity optical modulators;
n-doped cla;
waveguide core;
lightwave applications;
monolithic Mach-Zehnder interferometer;
voltage-length product;
BRAQWETS;
band filling effect;
42.
A new InP Schottky diode using a photo-CVD grown phosphorus-nitride film
机译:
使用光CVD种植磷 - 氮化膜的新INP肖特基二极管
作者:
Jeong Y.H.
;
Kim G.T.
;
Kim S.T.
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1990年
关键词:
Schottky diode;
chemical;
InP-Au;
PCl/sub 3/-NH/sub 3/ mixture;
InP substrate;
InP-P/sub 3/N/sub 5/;
NH/sub 3/;
PCl/sub 3/;
X-ray photoelectron spectra;
breakdown voltage;
reverse leakage;
ideality factor;
photo-CVD process;
Schottky barrier height;
43.
High yield optical integration compatible InP-based circuits
机译:
高产光学集成兼容兼容的基于INP电路
作者:
Williams T.
;
Fuji H.S.
;
Harrang J.P.
;
Daniels R.R.
;
Griem H.T.
;
West D.L.
;
Ray S.
;
LaRue G.
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1990年
关键词:
optoelectronic integrated circuit technology;
optical detector epi;
optical detectors;
digital circuits;
semiconductor;
MBE;
integration levels;
simulation;
high yield optical integration;
heterostructure FET;
HFET;
ring oscillator gate delays;
OEIC;
44.
Photochemical etching of n-InP: temperature, power and frequency studies
机译:
N-InP的光化学蚀刻:温度,功率和频率研究
作者:
Lowes T.D.
;
Cassidy D.T.
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1990年
关键词:
photochemical etching;
transmission electron microscope;
PC etching;
material removal;
rate equation model;
chopping frequency;
activation energy;
duty cycle;
illumination frequency;
power;
temperature;
phosphoric acid;
semiconductor;
photoetch rate;
45.
Determination of diode parameters and threshold current from I-V measurements of InGaAsP/InP DFB DH lasers
机译:
从InGaASP / INP DFB DH激光器I-V测量的二极管参数和阈值电流的测定
作者:
Kanack B.
;
Alavi K.
;
Appelbaum A.
;
Jiang C.L.
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1990年
关键词:
diode parameters;
d;
InGaAsP-InP;
ideality factor;
temperature dependence;
parasitic resistance;
junction quality;
ideal diode equation model;
parameter extraction;
DC I-V characteristic;
temperature-dependent model;
DFB DH lasers;
threshold current;
46.
Numerical modeling of pnpn heterostructure switches
机译:
PNPN异质结构开关的数值模拟
作者:
Fardi H.Z.
;
Suda D.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1990年
47.
Recent progress in high performance InGaAsP optical amplifiers and multiple quantum well devices
机译:
EngaAsP光放大器和多量子阱器件的高性能最近进展
作者:
Devlin W.J.
;
Cooper D.M.
;
Spurdens P.C.
;
Sherlock G.
;
Bagley M.
;
Regnault J.C.
;
Elton D.J.
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1990年
关键词:
optical communications;
gal;
InGaAsP;
1.5 micron;
1.3 micron;
fast-gain-recovery amplifiers;
enhanced tuning range external cavity devices;
semiconductor optical amplifiers;
facet reflectivity;
polarization sensitivity;
multiple quantum well devices;
48.
InP MISFET capabilities for microwave power amplification
机译:
用于微波功率放大的INP MISFET功能
作者:
Fellon P.
;
De Jaeger J.C.
;
Crosnier Y.
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1990年
关键词:
microwave power amplification;
insulated gate field effect;
indium compounds;
III-V semiconductors;
InP;
breakdown voltage;
maximum drain current;
pseudo-two-dimensional model;
Poisson's equation;
two-dimensional simulation;
numerical models;
MISFET;
49.
Surface passivation of In/sub 0.53/Ga/sub 0.47/As using thin Si layers by novel in-situ interface control processes
机译:
中/ SUB 0.53 / GA / SUB 0.47 /使用薄SI层的表面钝化通过新颖的原位界面控制过程
作者:
Akazawa M.
;
Ohue E.
;
Ishii H.
;
Iwadate H.
;
Hasegawa H.
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1990年
关键词:
surface passivation;
ultrathin Si interface cont;
In/sub 0.53/Ga/sub 0.47/As;
pseudomorphic bond matching;
XPS;
low-temperature photo CVD;
electrical results;
molecular beam epitaxy;
capacitance-voltage measurements;
X-ray photoelectron spectroscopy;
50.
Submicron double heterojunction strained InAlAs/InGaAs HEMTs: an experimental study of DC and microwave properties
机译:
亚微米双重异质结紧张inalas / Ingaas hemts:DC和微波性能的实验研究
作者:
Ng G.I.
;
Lai R.
;
Pavlidis D.
;
Pamulapati J.
;
Bhattacharya P.K.
;
Studer-Rabeler K.
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1990年
关键词:
strained double heterojunction HEMT;
16 to;
effective carrier velocity;
power gain performance;
carrier confinement;
output conductance;
submicron gate lengths;
microwave properties;
maximum frequency of oscillation;
cutoff frequency;
DC properties;
51.
Variations in surface morphology of ion implanted InP after rapid thermal annealing
机译:
快速热退火后离子植入INP表面形态的变化
作者:
Stevanovic D.V.
;
Ferret P.L.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1990年
52.
Low temperature DC characteristics of pseudomorphic Ga/sub 0.18/In/sub 0.82/P/InP/Ga/sub 0.47/In/sub 0.53/As HEMT
机译:
低温DC特性Pseudomphic Ga / sub 0.18 / in / sub 0.82 / p / inp / ga / sub 0.47 / in / sub 0.53 /作为HEMT
作者:
Loualiche S.
;
Ginudi A.
;
Le Corre A.
;
Lecrosnier D.
;
Vaudry C.
;
Henry L.
;
Guillemot C.
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1990年
关键词:
intrinsic transconductance;
gallium arsen;
100 to 293 K;
3 micron;
1.3 micron;
300 mS;
DC electrical characteristics;
low temperature;
gate length;
Schottky barrier height;
pseudomorphic HEMT;
53.
Physics and high speed devices
机译:
物理和高速设备
作者:
Levi A.F.J.
;
Nottenburg R.N.
;
Jalali B.
;
Cho A.Y.
;
Panish M.B.
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1990年
关键词:
n-p-n HBT;
InP-In/sub 0.53/Ga/sub 0.47;
collector transit delay;
minimum lateral dimensions;
current gain;
static transistor characteristics;
heterostructure bipolar transistor;
III-V semiconductors;
nonequilibrium electron transport;
collector bias;
54.
Estimation of minority carrier diffusion lengths in InP/GaAs solar cells
机译:
INP / GAAs太阳能电池中少数载波扩散长度的估计
作者:
Jain R.K.
;
Flood D.J.
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1990年
关键词:
minority carrier diffusion lengths;
emitte;
dislocation density;
surface recombination velocity;
efficiency;
open-circuit voltage;
short-circuit current;
I-V curve;
electron diffusion length;
hole diffusion length;
AM0-spectrum;
PC-1D computer model;
55.
Monolithic mode locked GaInAsP lasers
机译:
单片模式锁定增益激光器
作者:
Morton P.A.
;
Mar A.
;
Bowers J.E.
;
Koszi L.A.
;
Soler M.
;
Lopata J.
;
Wilt D.P.
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1990年
关键词:
optical spectra;
ind;
III-V semiconductors;
gallium compounds;
gallium arsenide;
GaInAsP monolithic mode locked lasers;
passive waveguides;
hybrid mode-locked monolithic device;
active waveguides;
design considerations;
modulation frequency detuning;
56.
VPE growth of high purity and high uniformity InGaAs/InP epitaxial layers on 2-inch diameter InP substrate
机译:
高纯度和高均匀性的VPE生长InGaAs / InP外延层2英寸直径InP基板上
作者:
Miura Y.
;
Takemoto K.
;
Iwasaki T.
;
Yamabayashi N.
;
Kaji M.
;
Murai S.
;
Tada K.
;
Akai S.
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1990年
关键词:
epilayer thickness uniformity;
H;
gallium arsenide;
carrier density;
InGaAs-InP epitaxial layers;
InP substrate;
lattice mismatch;
Hall mobility;
undoped carrier concentration;
VPE growth;
growth rate reproducibility;
carrier concentration variation;
57.
Tertiarybutylarsine as a substitute for AsH/sub 3/: application to InGaAs/InP photonic integrated circuits
机译:
叔丁烷作为灰烬/亚3 /:在Ingaas / InP的应用程序的替代品
作者:
Miller B.I.
;
Young M.G.
;
Koren U.
;
Koch T.L.
;
Oron M.
;
Gnall R.P.
;
Zucker J.E.
;
Jones K.E.
;
Hernandez-Gil F.
;
DeMiguel J.L.
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1990年
关键词:
multi-quantum well lasers;
quantum-confined Stark effect;
four-port directional coupler optical switch;
strained-layer MQW lasers;
PIC circuits;
TBA;
optical properties;
tertiarybutylarsine;
photonic integrated circuits;
semiconductors;
MOVPE growth;
58.
Improvement of large area homogeneity of InP based III-V layers by using the gas foil rotation concept
机译:
用煤气箔旋转概念改善基于III-V层的大面积均匀性
作者:
Strauch G.
;
Schmitz D.
;
Jurgensen H.
;
Heyen M.
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1990年
关键词:
lattice mismatch variation;
GaI;
GaInAs;
H/sub 2/;
InP;
wavelength variation;
thickness uniformities;
graphite carrier;
low-pressure metalorganic vapor-phase epitaxy;
compositional homogeneity;
gas foil rotation;
large area homogeneity;
MOVPE growth;
59.
Etching of InP in methane-based plasmas
机译:
基于甲烷基等离子体的INP蚀刻
作者:
Adesida I.
;
Andideh E.
;
Jones C.
;
Finnegan N.
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1990年
关键词:
methane-H/sub 2/;
indium co;
III-V semiconductors;
Auger effect;
O/sub 2/ plasma;
SiO/sub 2/ mask surfaces;
InP;
stoichiometry;
clean surfaces;
thick polymer layer;
Auger electron spectroscopy;
X-ray photoelectron spectroscopy;
methane-based plasmas;
60.
Dislocation density after S-diffusion into p-type InP substrates
机译:
S-扩散后的位错密度进入P型INP基板
作者:
Faur M.
;
Weinberg I.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1990年
61.
MBE growth of InP using polycrystalline InP as phosphorus source
机译:
MBE使用多晶INP作为磷来源的INP的生长
作者:
Yang B.X.
;
Ishii H.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1990年
62.
MOVPE growth of InGaAs on InP using tertiarybutylarsine
机译:
使用叔丁烷的INGAAS的MOVPE生长
作者:
Abdalla M.I.
;
Kenneson D.G.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1990年
63.
Radiation effects on n/sup +/-p homojunction indium phosphide solar cells
机译:
辐射效应N / SUP +/- P同性全角磷化铟磷化物太阳能电池
作者:
Takamoto T.
;
Okazaki H.
;
Takamura H.
;
Ohmori M.
;
Ura M.
;
Yamaguchi M.
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1990年
关键词:
n/sup +/-p homojunction solar cells;
high-resistance laye;
conversion efficiency;
short-circuit current;
degradation mechanism;
electron irradiation;
very thin coverglass;
shielding effects;
proton damage;
energy dependence;
proton penetration depth;
64.
Hybrid electronics based on InP and high temperature superconductors
机译:
基于INP和高温超导体的混合电子设备
作者:
Singh R.
;
Semnani M.J.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1990年
65.
Characterization of unintentionally-ordered superlattice resonant-tunneling diodes
机译:
无意下序超晶格共振隧道二极管的表征
作者:
Seabaugh A.C.
;
Kao Y.-C.
;
Liu H.-Y.
;
Luscombe J.H.
;
Tsai H.-L.
;
Reed M.A.
;
Gnade B.E.
;
Frensley W.R.
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1990年
关键词:
layer composition ordering;
one;
electrical characteristics;
current-voltage characteristics;
substrate rotation rate;
growth rate;
molecular-beam-epitaxy growth;
beam flux distribution;
66.
Electrical characterization of Pt-Ti/p-InGaAs/n-InP heterostructures
机译:
PT-Ti / p-InGaAs / N-InP异质结构的电气表征
作者:
Jiao K.L.
;
Soltyka A.J.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1990年
67.
Improved high frequency performance of AlInAs/GaInAs HBTs through use of low temperature GaInAs
机译:
通过使用低温GAINAS改善了Alinas / Gainas HBT的高频性能
作者:
Stanchina W.E.
;
Metzger R.A.
;
Jensen J.F.
;
Rensch D.B.
;
Pierce M.W.
;
Delaney M.J.
;
Wilson R.G.
;
Kargodorian T.V.
;
Allen Y.K.
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1990年
关键词:
N-p-n HBT;
fifteen-stage rin;
base resistance;
spacer structure;
heavily doped bases;
substrate temperatures;
low temperature GaInAs;
high frequency performance;
maximum frequency;
base doping concentrations;
SIMS elemental profiles;
Be outdiffusion;
68.
Molecular beam epitaxial growth techniques for graded-composition InGaAlAs/InP alloys
机译:
分子束外延生长技术用于分子组合物Ingaalas / InP合金
作者:
Vlcek J.C.
;
Fonstad C.G.
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1990年
关键词:
molecular beam epitaxial growth technique;
graded-layer growth;
graded quaternary alloy;
lattice-matching condition;
double-crystal X-ray diffraction;
personal computer;
effusion cell temperature control;
flux modulation;
MBE growth;
semiconductors;
69.
An indium phosphide diffused junction field effect transistor
机译:
磷化铟扩散接线场效应晶体管
作者:
Zeisse C.R.
;
Nguyen R.
;
Vu T.T.
;
Messick L.J.
;
Moazed K.L.
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1990年
关键词:
diffused junction field effect transistor;
InP:Zn;
12 GHz;
10 nA;
240 mS;
1.55 micron;
1.3 micron;
wideband DC coupled integrated circuits;
unity current gain frequency;
gate-to-source leakage current;
transconductance;
electrooptic receiver;
JFET;
70.
High microwave power InP MISFETs with one micron and submicron gates
机译:
具有一微米和亚微米盖茨的高微波功率INP MISFET
作者:
Shokrani M.
;
Kapoor V.J.
;
Biedenbender M.D.
;
Messick L.
;
Nguyen R.
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1990年
关键词:
high power microwave MISFETs;
24 per;
9.7 GHz;
power gain;
power-added efficiency;
output power density;
drain current drift;
stability;
MIS capacitors;
plasma-enhanced chemical vapor deposition;
gate insulator;
submicron gates;
C-V curve hysteresis;
71.
Design of high speed GaInAs/InP p-i-n photodetectors
机译:
高速GAINAS / INP P-I-N光电探测器的设计
作者:
Wey Y.G.
;
Crawford D.L.
;
Bowers J.E.
;
Hafich M.J.
;
Robinson G.Y.
;
Storz F.
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1990年
关键词:
coplanar waveguide integration;
3;
34 ohm;
560 degC;
quantum efficiency;
capacitance;
series resistance;
RC bandwidth;
high-frequency microwave probe;
bond pads;
gas-source molecular beam epitaxy;
high speed;
design constraints;
p-i-n photodetectors;
72.
Photochemical etching of n-InP: temperature, power and frequency studies
机译:
N-InP的光化学蚀刻:温度,功率和频率研究
作者:
Lowes T.D.
;
Cassidy D.T.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1990年
73.
An In/sub 0.52/Al/sub 0.48/As/n/sup +/-In/sub x/Ga/sub 1-x/As heterostructure field-effect transistor with an In-enriched channel
机译:
IN / SUB 0.52 / AL / SUB 0.48 / AS / N / SUP +/- IN / SUB X / GA / SUB 1-X /作为异质结构场效应晶体管,具有富集的通道
作者:
Bahl S.R.
;
del Alamo J.A.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1990年
74.
Expertise, optimisation and control of InP and related technologies by scanning photoluminescence measurements
机译:
通过扫描光致发光测量来专业知识,优化和控制INP和相关技术
作者:
Krawczyk S.K.
;
Schohe K.
;
Garrigues M.
;
Tardy J.
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1990年
关键词:
defect counting;
indium;
III-V semiconductors;
InP substrate;
InP;
statistical parameters;
automatic recognition;
inline control;
MISFETs;
gate recess step;
passivation processes;
semiconductor technologies;
scanning photoluminescence;
optimisation;
75.
Microwave InAlAs/InGaAs/InP HEMTs: status and applications
机译:
微波Inalas / Ingaas / Inp Hemts:状态和应用
作者:
Smith P.M.
;
Chao P.C.
;
Ho P.
;
Duh K.H.
;
Kao M.Y.
;
Ballingall J.M.
;
Allen S.T.
;
Tessmer A.
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1990年
关键词:
microwave HEMT;
monolithic microwave inte;
power-added efficiency;
power amplification;
room-temperature receiver technology;
noise figure;
maximum frequency of oscillation;
extrinsic transconductance;
high-frequency analog applications;
gate length;
76.
Noise at high frequency operation of InP/InGaAs double heterojunction bipolar transistors
机译:
INP / INGAAS双异质结双极晶体管高频操作噪声
作者:
Ouacha A.
;
Willander M.
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1990年
关键词:
emitter size scaling;
low-level wideband ap;
input noise current;
excess noise;
high current gain;
collector noise current;
base noise current;
high-frequency noise characteristics;
double heterojunction bipolar transistors;
high frequency operation;
77.
InP MIS structure with phosphorus-nitride film grown by photo-CVD
机译:
通过光CVD生长的磷 - 氮化物膜的INP MIS结构
作者:
Jeong Y.H.
;
Lee J.H.
;
Hong Y.T.
;
Bae Y.H.
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1990年
关键词:
XPS;
ch;
Auger effect;
aluminium;
PCl/sub 3/-NH/sub 3/;
Al-P/sub 3/N/sub 5/-InP;
NH/sub 3/;
PCl/sub 3/;
InP surface;
100 to 200 degC;
Auger spectroscopy;
interface trap states;
breakdown voltage;
resistivity;
photo-CVD;
MIS structure;
depth profiles;
78.
VPE growth of high purity and high uniformity InGaAs/InP epitaxial layers on 2-inch diameter InP substrate
机译:
高纯度和高均匀性的VPE生长InGaAs / InP外延层2英寸直径InP基板上
作者:
Miura Y.
;
Takemoto K.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1990年
79.
High speed semi-insulating GaInAsP laser processing
机译:
高速半绝缘增益激光加工
作者:
Wasserbauer J.G.
;
Fukushima T.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1990年
80.
Polarization-dependent frequency responses of 1.3- mu m InGaAsP/InP BH-VPR semiconductor lasers
机译:
偏振依赖性频率响应为1.3 - MU M InGaASP / INP BH-VPR半导体激光器
作者:
Yu B.M.
;
Liu J.M.
;
LaCourse J.S.
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1990年
关键词:
TE polarisation;
1.3 micr;
low-frequency modulation;
modulation bandwidths;
small-signal analysis;
polarization-dependent rate-equation model;
polarization-dependent frequency responses;
transverse-magnetic polarizations;
BH-VPR semiconductor lasers;
81.
InP-based heterojunction bipolar transistors: performance status and circuit applications
机译:
基于INP的异质结双极晶体管:性能状态和电路应用
作者:
Asbeck P.M.
;
Farley C.W.
;
Chang M.F.
;
Wang K.C.
;
Ho W.J.
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1990年
关键词:
self aligned fabrication techniques;
17 GHz;
digital applications;
low turn-on voltage;
microwave power applications;
wide bandgap collectors;
ultrahigh electron velocity;
circuit applications;
heterojunction bipolar transistors;
frequency dividers;
82.
The preparation of Fe-doped and nominally undoped semi-insulating InP
机译:
Fe掺杂和名义上未掺杂的半绝缘INP的制备
作者:
Muller G.
;
Hofmann D.
;
Kipfer P.
;
Mosel F.
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1990年
关键词:
liquid encapsulated Czochralski technique;
I;
chemical analysis;
deep acceptor;
energy level;
diffusion coefficients;
electron mobility;
LEC;
electronic transport properties;
annealing;
carrier concentration depth profiles;
semi insulating behaviour;
83.
Chemical etching of InP
机译:
INP的化学蚀刻
作者:
Sundararaman C.S.
;
Mouton A.
;
Currie J.F.
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1990年
关键词:
semiconductor;
InPO/sub 4/-H/sub 2;
HIO/sub 3/ solution;
InP;
cleaning;
mesa type etching;
MIS device;
XPS;
X-ray photoelectron spectroscopy;
etch profile;
activation energies;
etch rate;
concentration dependence;
chemical etching;
Schottky barriers;
84.
Low temperature Cd diffusion in InP using the leaky tube method
机译:
使用泄漏管方法在INP中的低温CD扩散
作者:
Wheeler C.B.
;
Roedel R.J.
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1990年
关键词:
semiconductor;
concentr;
atomic concentration profiles;
high quality p-n junctions;
specular surfaces;
leaky tube diffusion;
leaky tube method;
Cd acceptor diffusion;
dopant impurities;
acceptor concentration profile;
secondary ion mass spectrometry;
85.
Surface recombination and high efficiency in InP solar cells
机译:
INP太阳能电池的表面重组和高效率
作者:
Keavney C.J.
;
Haven V.E.
;
Vernon S.M.
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1990年
关键词:
AM0 conversion efficiencies;
solar cells;
indium compounds;
III-V semiconductors;
electron-hole recombination;
InP solar cells;
InP;
19 percent;
quantum efficiency;
front-surface field structure;
high surface recombination velocity;
86.
Comparison between InP and other semiconductor, materials for the realization of millimeter wave two terminal devices
机译:
INP和其他半导体之间的比较,用于实现毫米波的材料两个终端设备
作者:
Rolland P.A.
;
Friscourt M.R.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1990年
87.
Second International Conference. Indium Phosphide and Related Materials (Cat. No.90CH2859-7)
机译:
第二次国际会议。磷化铟和相关材料(猫。No.90ch2859-7)
作者:
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1990年
88.
An indium phosphide diffused junction field effect transistor
机译:
磷化铟扩散接线场效应晶体管
作者:
Zeisse C.R.
;
Nguyen R.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1990年
89.
AlInAs/InP MODFET structures grown by OMVPE
机译:
Alinas / InP Modfet结构由OMVPE生长
作者:
Aina L.
;
Mattingley M.
;
Serio M.
;
Potter R.C.
;
Hempfling E.
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1990年
关键词:
gate drain breakdown voltage;
saturation drain curre;
drain-source breakdown voltages;
extrinsic transconductances;
sheet electron concentrations;
electron mobilities;
Shubnikov-de Haas oscillations;
Hall measurements;
HEMT;
OMVPE;
MODFET structures;
90.
Variations in surface morphology of ion implanted InP after rapid thermal annealing
机译:
快速热退火后离子植入INP表面形态的变化
作者:
Stevanovic D.V.
;
Ferret P.L.
;
Thompson D.A.
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1990年
关键词:
ion implementation;
InP proximity;
InP:Fe;
InP;
1023 K;
130 keV;
300 K;
transmission electron microscopy;
Auger analyses;
radiation damage;
rapid thermal annealing;
surface morphology;
SEM;
surface degradation;
defect analysis;
surface cloudiness;
91.
High rate growth of Ga/sub 0.47/In/sub 0.53/As/InP by chemical beam epitaxy
机译:
通过化学束外延,GA / SUB 0.47 / / SUN / SUN / INP的高速率增长
作者:
Uchida T.K.
;
Uchida T.
;
Mise K.
;
Yokouchi N.
;
Koyama F.
;
Iga K.
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1990年
关键词:
multi-quantum well;
Ga/sub 0.4;
wavelength tunability;
X-ray spectra satellite peaks;
room temperature photoluminescence;
emission wavelength shift;
growth rates;
thickness controllability;
electrical properties;
chemical beam epitaxy;
semiconductor;
92.
LEC growth and structural characterization of low-EPD co-doped indium phosphide
机译:
LEC的生长和低环共掺杂磷化铟的结构特征
作者:
Fornari R.
;
Franzosi P.
;
Kumar J.
;
Salviati G.
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1990年
关键词:
dislocation line pinning;
crystal;
cadmium;
InP:Cd, S;
precipitates;
microdefects;
carrier concentration;
dislocation density;
X-ray topography;
transmission electron microscopy;
scanning electron microscopy;
structural characterization;
LEC growth;
93.
Heteroepitaxy of InP on Si: variation of electron concentration and mobility with depth
机译:
INP杂志在Si:电子浓度变化与深度的迁移率
作者:
Crumbaker T.E.
;
Hafich M.J.
;
Robinson G.Y.
;
Davis A.
;
Lorenzo J.P.
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1990年
关键词:
electron concentration profile;
carrier densit;
InGaP buffer layer;
InP:Si;
Si;
InP:Be;
carrier concentrations;
strained-layer superlattice;
lattice mismatch;
gas-source MBE;
electrical properties;
semiconductors;
Si;
heteroepitaxy;
mobility profile;
94.
Etching of InP in methane-based plasmas
机译:
基于甲烷基等离子体的INP蚀刻
作者:
Adesida I.
;
Andideh E.
;
Institute of Electric and Electronic Engineer
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1990年
95.
Control of a reactive ion etching process for InP and related materials by in-situ ellipsometry in the near infrared
机译:
通过近红外线椭圆形测量对INP和相关材料的反应离子蚀刻方法的控制
作者:
Muller R.
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1990年
关键词:
reactive ion etching process control;
e;
InGaAsP-InP heterostructure;
1300 nm;
plasma exposure;
wafer temperature;
in-situ measurement;
endpoint detection;
depth monitoring;
etch depth measurement;
in-situ ellipsometry;
near infrared;
semiconductors;
96.
Growth and fabrication of InGaAs/InAlAs HEMTs on bonded-and-etch-back InP-on-Si
机译:
InGaAs / Inalas Hemts在粘合和蚀刻后的Inp-On-Si的生长和制作
作者:
Fathimulla A.
;
Abrahams J.
;
Hier H.
;
Loughran T.
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1990年
关键词:
bonded and etched back substrates;
SiO/;
InP;
Si;
1.2 micron;
180 mS;
maximum transconductance;
overlay;
gate-metal deposition;
ohmic-contacts formation;
mesa isolation;
strain-relief grid;
HEMTs;
MBE;
furnace bonding;
transistor growth;
gate length;
97.
Ion beam processing and rapid thermal annealing of InP and related compounds
机译:
INP和相关化合物的离子束加工和快速热退火
作者:
Pearton S.J.
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1990年
关键词:
methane-H/sub 2/ mixtures;
residue-free dry etching;
high-temperature implant activation;
SiC-coated graphite susceptor;
p-type doping levels;
high-resistivity layers;
doped regions;
ion implantation;
rapid thermal annealing;
microwave ECR discharge;
98.
Long wavelength quantum well laser diodes grown by metalorganic chemical vapor deposition
机译:
金属化学气相沉积的长波长量子孔激光二极管
作者:
Kasukawa A.
;
Okamoto H.
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1990年
关键词:
QW LD;
driv;
aging tests;
output power;
low threshold current density;
MOCVD;
metalorganic chemical vapor deposition;
GRIN-SCH;
graded-index separate-confinement heterostructure;
cavity design;
QW structure;
epitaxial growth technique;
semiconductor;
99.
Integrated InP/InGaAs HBT preamplifier for an optical receiver
机译:
用于光接收器的集成InP / InGaAs HBT前置放大器
作者:
Chandrasekhar S.
;
Johnson B.C.
;
Tokumitsu E.
;
Dentai A.G.
;
Joyner C.H.
;
Gnauck A.H.
;
Perino J.S.
;
Qua G.J.
;
Burrus C.A.
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1990年
关键词:
integrated HBT preamplifier;
500;
monolithic integration;
monolithic photoreceiver;
optical sensitivity;
bandwidth;
monolithic optical receiver;
p-i-n photodetector;
long wavelength photoreceivers;
transimpedance preamplifier circuit;
semiconductors;
100.
Detection of compositional non-uniformities in InP:Fe via spatially resolved photoluminescence and secondary ion mass spectrometry
机译:
通过空间分辨的光致发光和二次离子质谱法检测INP:Fe中的组成非均匀性
作者:
Carver G.E.
;
Moore R.D.
;
Trapp K.D.C.
;
Kahora P.M.
;
Stevie F.A.
会议名称:
《International Conference on Indium Phosphide and Related Materials》
|
1990年
关键词:
compositional nonuniformities;
II;
crystal growth from melt;
InP:Fe substrates;
opto-electronic arrays;
integrated circuits;
contaminants;
high luminescent efficiency;
secondary ion mass spectrometry;
spatially resolved photoluminescence;
GEC growth;
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