GaAs衬底采用AlGaInN缓冲层生长三族氮化物的方法

摘要

本发明公开了一种GaAs衬底采用AlGaInN缓冲层生长三族氮化物的方法，涉及制造半导体器件的方法。该方法应用于制作GaN基异质结场效应晶体管（HFET）、发光二极管（LED）和激光器（LD）材料与器件，其采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）、分子束外延（MBE）或者氢化物气相外延（HVPE）生长系统在GaAs衬底采用AlGaInN缓冲层外延生长三族氮化物，进而开展GaN基微电子和光电子器件结构的外延生长。利用本发明方法制作的GaAs衬底三族氮化物外延材料位错密度大大降低，提高了外延材料的晶体质量，同时由于GaAs衬底价格低廉，工艺成熟，本发明也提高了GaAs衬底GaN基外延材料的实用性。